半導体デバイスは、これまでのスケーリング則 (Mooreの法則) にのっとった微細化の追求 (More Moore) に加えて、従来のCMOSデバイスが持ち得なかった、アナログ/RF、受動素子、高電圧パワーデバイス、センサ/アクチュエータ、バイオチップなどの新機能を付加し、デバイスの多機能化、異機能融合の方向に進化する新たな開発軸 (More than Moore) を追求するようになってきた。
将来の半導体デバイスは、「More Moore」と「More than Moore」を車の両輪のように組み合わせて実現する高付加価値システムへと向かっており、まさに異種材料・異種機能を集積するヘテロジニアス集積 (Heterogeneous Integration) 技術が、将来の継続的な半導体産業成長の鍵として注目を集めている。このような背景のなか、IEEE EPS (Electronics Packaging Society) では、ヘテロジニアス集積ロードマップ (HIR:Heterogeneous Integration Roadmap) に関するワークショップを世界各国で開催し、基礎研究段階のロードマップ策定も進められている。
本セミナーでは、ヘテロジニアス集積を実現する重要な要素技術である常温・低温接合技術に焦点を当て、これらの技術の基礎と評価手法について詳細に述べ、これらの技術によりデバイスにどのような機能や特性が実現できるのか、具体的なデバイスを例に開発動向及び今後の動向を展望します。
- はじめに
- パッケージング分野から見た半導体を取り巻く状況
- 中間領域プロセスの新展開
- 半導体デバイス製造に用いられる接合技術の基礎
- 直接接合
- 中間層を介した接合
- 常温・低温接合プロセスの基礎
- 表面活性化接合による半導体の直接接合
- Auを介した大気中での表面活性化接合
- 実現される機能の具体例
- 真空封止
- 高放熱構造
- 急峻な不純物濃度勾配
- マルチチップ接合
- ハイブリッド接合による3D集積化
- 今後の開発動向と産業化の可能性
- おわりに
- 質疑応答
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 20,000円(税別) / 22,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 30,400円(税別) / 33,440円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 66,000円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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アカデミー割引
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
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