ALD (原子層堆積) / ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用

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本セミナーでは、ALD (原子層堆積) 技術、ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用について、堆積の原理や材料を中心に解説いたします。
また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介いたします。

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プログラム

AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。  本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD (原子層堆積) /ALE (原子層エッチング) 技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。

  1. 薄膜形成技術の基礎
    1. 薄膜作製の基礎
    2. 薄膜の評価方法
      1. 電気的評価
      2. 化学的分析法
      3. 光学的評価法
  2. ALD技術の基礎
    1. ALD技術の原理
    2. ALD薄膜の特長
    3. ALD技術の歴史
    4. ALD装置の仕組み
    5. ALD技術の材料
  3. ALD技術の応用
    1. パワーデバイスへの応用
    2. 酸化物薄膜トランジスタへの応用
    3. MOS LSIへの応用
  4. ALE技術の基礎
    1. ALEの歴史
    2. ALEの原理
  5. ALE技術の応用事例
    1. シリコン、窒化ガリウム等半導体材料への応用
    2. シリコン酸化膜、窒化膜等絶縁膜への応用
    3. Co等金属膜への応用
  6. ALD/ALE技術の課題と展望

受講料

案内割引・複数名同時申込割引について

シーエムシーリサーチからの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、2名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、1名様あたり半額の 22,500円(税別) / 24,750円(税込)となります。

アカデミック割引

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。

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