ダイヤモンド半導体デバイスの作製技術と高性能化

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本セミナーでは、次世代パワー半導体として注目を集める「ダイヤモンド半導体」を取り上げ、 ダイヤモンド半導体の原理や物性などの基礎から、大口径ウエハの成長技術、特性を引き出すデバイス作製まで最新の研究成果を報告いたします。

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プログラム

現在、環境・省エネルギーの観点や電気自動車への期待から、エネルギー効率が格段に高くなるワイドギャップ半導体の研究が盛んに行われています。その中で、ダイヤモンド半導体は最も効率が高い「究極のパワー半導体」です。しかし、これまでは、ダイヤモンド結晶のサイズの問題や半導体デバイスの技術的な問題により、なかなか進展が見られませんでした。  ところが、この1,2年で、2インチ径ダイヤモンドウェハを量産できる結晶成長技術や半導体デバイス特性を決めるデバイス作製技術が急速に進展し、「究極のパワー半導体デバイス」が現実味を帯びてきました。  本セミナーでは、ダイヤモンドの半導体での物性の説明から、急速に進展したダイヤモンドの結晶成長技術とデバイス作製技術をわかりやすく説明いたします。企業、大学の研究開発の現場におられる研究者、技術者から、一般、学生の方まで対象としております。

  1. ダイヤモンド半導体の社会からの期待
    1. ダイヤモンドの物性の特徴
    2. 様々なダイヤモンド半導体デバイス
  2. ダイヤモンド結晶成長技術
    1. ダイヤモンド結晶成長の基礎
    2. ダイヤモンドCVD成長技術
    3. ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長技術
    4. なぜサファイア基板を用いるか
    5. ダイヤモンド結晶成長機構の最近の成果
    6. 今後の課題
  3. ダイヤモンド半導体デバイス作製技術
    1. パワー半導体デバイスの原理
    2. ダイヤモンドのドーピング技術
    3. ダイヤモンドの絶縁膜堆積技術
    4. ダイヤモンドFET作製方法
    5. ダイヤモンドFETの新構造、選択ドーピング構造
    6. ダイヤモンドFETのパワー特性
    7. ダイヤモンドFETの高周波特性
    8. 今後の課題
  4. 将来の展望
  5. まとめ

受講料

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