先端的デバイス製作に必須の超精密研磨/CMPプロセス技術の基本原理から将来型加工技術へ

近年では、特に、パワー/高周波デバイス用あるいはLED用としてサファイア、SiC、GaN、Diamondなどの難加工基板が脚光を浴びています。それに加えて、データセンター。基地局用にもLT、LN、GaAsなどの結晶基板の適用も要請されている。 　多種多様な基板を高能率・高品質に超精密加工するためには、熟成・定着してきたベアSiウェーハをはじめ、デバイスウェーハ平坦化CMP技術などを例にして、加工技術の基礎を徹底理解しておくことが必要不可欠です。 　ここでは、長年培ってきたガラスを含めた機能性材料基板の超精密加工プロセス技術について徹底的に掘り下げた情報を盛り込みながら、あらゆる材料の超精密加工実現の門外不出のノウハウも含めながら、難加工材料のCMP技術や超精密加工プロセス技術などを詳細に解説します。さらに、究極デバイス用ダイヤモンド基板を含めた高効率加工プロセスなどについても言及し、新しい研究開発のビジネスチャンスをつかんでいただく橋渡しをさせていただきます。

1. 基礎編:超精密加工技術の基礎編
   - 研磨/CMPの発展経緯と加工メカニズム基礎、各種基板の加工事例から基本技術を徹底理解 -
   1. 超精密研磨 (研削/ラッピング/ポリシング/CMP等) 技術の位置づけ、必要性と適用例
   2. 基本的加工促進のメカニズム概要の理解
   3. 各種機能性材料の超精密ポリシング – コロイダルシリカ・ポリシング/CMPを含めて -
      • ここで登場する被加工用基板
        • HD・光ファイバ用ガラス
        • Si
        • サファイア
        • GaAs
        • LT
        • 水晶
        • GGG
        • SiC
        • 有機結晶など
2. デバイス化への応用編:
   - 超LSIデバイス・多層配線用の平坦化CMPの基本的考え方、そしてハイブリッド・ボンディングへの道/3D ICプロセスへの適用のキー技術 -
   1. デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
   2. 平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例 – パッド・スラリーそして装置 -
   3. パッドのドレッシング
      - 非破壊ドレッシング/HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案 -
   4. CMP用スラリーの設計とそのため必須のダイナミック電気化学 (d-EC) 装置の紹介
   5. Siウェーハのナノトポグラフィ問題、他
   6. 3D ICプロセスにおけるCu-CMPとハイブリッド・ボンディング
      • ここで登場する被加工用基板
        • Si
        • SiO2
        • Cu
        • W
        • Co
        • Ta
        • TaN
        • TiN
        • PI等の有機膜など
3. 将来加工編;将来加工技術
   - 革新的高能率・高品質加工プロセス技術 (SiC・GaN/Diamond基板を対象として) -
   1. 革新的加工技術へのブレークスル – (2つの考え方から) 加工条件改良型ブレークスル -
      • ダイラタンシーパッドと高速高圧加工装置の考案とその加工プロセス・加工特性事例
   2. 将来型加工技術に向けて/新しい研磨方法の可能性を探る
      1. 加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
      2. パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
      3. 挑戦型加工によるブレークスルー
         将来型プラズマ融合CMP法の考案とその加工特性事例
         • ここで登場する加工用基板
           • SiC
           • HD用ガラス
           • GaN
           • ダイヤモンド
           • サファイア
           • Si
           • SiO2など
4. 総括編:
   - 今後の加工技術を捉える (深化するAIとシンギュラリティ【技術的特異点】を見据えて) -
   • 将来型3D ICを目指して異種材料/多結晶材料の平坦化手法の探索
     • 重要五大キー加工技術:
       • 超精密CMP融合技術
       • 超薄片化プロセス技術
       • 超薄片化加工
       • 大口径超精密ボンディング技術
       • 修正トリミング加工
• 質疑応答