原子層エッチングの原理、反応プロセスとその応用技術

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本セミナーでは、原子層エッチングについて取り上げ、原子層エッチングの基礎から、これまでの研究動向、各手法の特徴、各種材料の加工事例まで分かりやすく解説いたします。

日時

中止

プログラム

第1部 原子層エッチングの原理、手法とその開発事例

(2022年12月8日 10:30〜14:30)※途中、昼休みを含む

  1. 先端半導体パッケージの背景
  2. Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP)
    1. FOWLPの概要と歴史
    2. FOWLPの分類と特徴
      • Die-first
      • RDL-first
      • InFO
    3. FOWLPの課題
    4. FOWLP の研究開発動向
  3. 三次元積層型集積回路 (3D-IC) /シリコン貫通配線 (TSV)
    1. 3D-ICの概要と歴史
    2. 3D-ICの分類
    3. TSV形成技術
    4. 接合・積層技術
    5. その他、3D-IC作製技術
  4. 先端半導体パッケージング技術の開発動向
    1. 三次元イメージセンサ技術
    2. HBM (High-Bandwidth Memory) 技術
    3. Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) 技術
    4. 2.5Dシリコンインターポーザ技術
    5. 2.3D有機インターポーザ技術
    6. Siブリッジ技術
    7. チップレット技術
    8. ハイブリッド接合技術
  5. 世界最大の半導体パッケージング技術国際会議ECTC2022を振り返って
    - 多様化する実装形態の進化 -

第2部 プラズマを用いた原子層エッチングの表面反応機構と最新技術動向

(2022年12月8日 14:45〜16:15)

 本講座では、最先端半導体プロセスにおいて、今後活用がますます広がることが期待される原子層エッチング (ALE) 技術、特に、プラズマ支援ALE (PE-ALE) 技術を、基礎となる物理化学原理から解説する。具体的には、半導体プロセスで用いられるプラズマ装置の概要、気相反応、および、プラズマ物質相互作用の物理機構を、ALEの観点から、できるだけ分かりやすく解説する。

  1. 背景
  2. プラズマ科学の基礎
  3. 代表的なプラズマプロセス装置
  4. 反応性イオンエッチング (RIE) 概要:原子層エッチング (ALE) の基礎として
    1. プラズマ表面相互作用
    2. シリコン系材料エッチング反応機構
  5. ALDプロセスの概要:原子層エッチング (ALE) の逆過程として
    1. 熱ALD
    2. プラズマ支援ALD
  6. ALEプロセスの概要と最新技術動向
    1. プラズマ支援ALE
    2. 熱ALE:リガンド交換
    3. 熱ALE:金属錯体形成
  7. まとめ

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