ウェットエッチング加工は、表面に加工歪が残らないことや化学的・結晶学的な作用に基づく異方性加工が行えるなど、機械的・物理的加工と異なるメリットを持つ.一方、毒劇物となる薬品を使用しなければならず、作業環境や廃棄物への慎重な対応が必要となる.
上記のような特徴を持つウェットエッチング加工であるが、特に半導体・MEMS加工分野では必要不可欠な加工であり、今後も基盤技術の一つとして持続可能性のあるプロセスにしなければならない.本講演では、半導体材料のウェットエッチング加工の現状を大まかに把握できると共に、特に単結晶シリコンに対するエッチング加工特性とそのメカニズムについて理解頂けるようにする.加えて、エッチングプロセスのグリーン化への取り組みと課題について説明を行う.
- ウェットエッチング加工の基礎
- ウェットエッチング加工の方法
- ウェットエッチングの化学的溶解機構
- ウェットエッチング加工の課題
- シリコン異方性ウェットエッチング加工特性とメカニズム
- 等方性エッチングと異方性エッチング
- 代表的な結晶面でのエッチング加工特性
- エッチング加工特性に及ぼす各種要因
- エッチングマスクパターン材料の選択
- エッチング加工特性を把握するための実験方法
- 各種半導体デバイス材料のウェットエッチング加工
- 各種半導体材料のウェットエッチング加工特性
- 化学的作用に別の作用を組み合わせたエッチング方法
- ウェットエッチングのグリーンプロセス化の取り組み
- エッチング液の低濃度化と課題
- エッチング液の少量化と課題
- グリーンプロセス化の動向
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