近年、めっき技術はエレクトロニクス産業における基盤技術として、その重要性が確立されています。半導体デバイスや高周波用プリント基板およびMEMSなどのエレクトロニクスにおいては、主に、配線形成技術として実用化されています。また、高精度な配線やプラグ構造を形成するにはリソグラフィ技術が必要です。この技術では、レジストマスクで設計された領域に限定してめっき層を形成します。レジストマスクはエッチングマスクとしても用いられます。めっきによる配線形状の制御には、レジストマスクの高精度化が不可欠です。
本セミナーでは、CuやNiなどの配線材料のめっき技術、およびリソグラフィ技術の基礎およびレジストマスクの高精度化について講演します。また、マスク変形やマスク剥離などのトラブル解決法についても解説します。さらには、ウェットエッチング、金属汚染対策についても言及します。本講座を通じて、初心者にも分かりやすく、基礎から学んでいただけます。また、受講者が抱えている日々のトラブル相談にも応じます。
- リソグラフィにおけるめっき技術
- エレクトロニクス産業における位置付け
- 配線形成技術としての位置付け
- ダマシン
- プローブ
- プラグ
- プリント基板配線
- LIGA
- 基本プロセスフロー
- 高精度化要因 (CAD設計値からのシフト量管理)
- レジストマスクの高精度化
- 基本プロセスと制御
- リソグラフィの基礎
- レジスト材料
- レジスト膜形成
- パターン露光
- パターン現像
- レジスト除去
- 形状の高精度化
- マルチパターニング
- 逆テーパ
- 裾引き
- T-top対策
- レジストトラブル対策
- レジスト剥がれ (界面浸透)
- 形状変形
- 亀裂
- 現像膨潤 (内部浸透)
- ラミネーティング歪み (結晶化歪み)
- 形状異常
- めっき技術の高精度化
- 基本プロセス
- 電解/無電解めっき (Cu、Niめっき)
- めっき液の濡れ性制御 (表面エネルギー)
- シーズ層形成 (核生成)
- 不働態膜形成 (pH-ポテンシャル図)
- めっき膜性質 (結晶成長)
- めっきトラブル対策
- 膜剥離 (界面付着性)
- 気泡発生 (濡れ性対策)
- ブリスター (ガス発生)
- クラック (応力マッチング)
- ひさし
- 電極腐食
- 重金属汚染 (RCA洗浄)
- めっき層のウェットエッチング
- エッチング機構 (律速過程)
- 腐食電位 (アノード/カソード反応)
- 電位-pH図 (不働態膜)
- 参考資料
- 濡れ性トラブルQ&A事例集 (トラブルの最短解決ノウハウ)
- 表面エネルギーによる濡れ・付着性解析 (測定方法)
- 質疑応答
案内割引・複数名同時申込割引について
S&T出版からの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、4名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、3名様受講料 + 3名様を超える人数 × 20,000円(税込)でご受講いただけます。
- Eメール案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 46,364円(税別) / 51,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 66,364円(税別) / 73,000円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 84,545円(税別) / 93,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 102,727円(税別) / 113,000円(税込)
- Eメール案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 46,364円(税別) / 51,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 92,728円(税別) / 102,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 139,092円(税別) / 153,000円(税込)
- 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 185,456円(税別) / 204,000円(税込)
- 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 231,820円(税別) / 255,000円(税込)
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