ALE (アトミック レイヤー エッチング) 技術の基本原理と最新動向、今後の展望

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本セミナーでは、半導体デバイス製造の動向を紹介した後、従来のドライ/ウェットエッチングの基礎と課題、ALEの基本原理、そして各種材料のALE開発事例までを、メーカの研究開発現場にいる講師が、実経験を交えて分かりやすく解説いたします。

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プログラム

半導体加工の微細化は原子層レベルに到達しており、3次元構造化と積層化による集積度向上が加速しています。また、ポストスケーリングに向けて、新構造トランジスタや新材料の検討が進んでいます。このため今後の半導体製造では、様々な膜種を原子層レベルの寸法精度でエッチング加工する技術が重要になります。  そこで本講座では、半導体デバイス製造の動向を紹介した後、従来のドライ/ウェットエッチングの基礎と課題、ALEの基本原理、そして各種材料のALE開発事例までを、メーカの研究開発現場にいる講師が、実経験を交えて分かりやすく解説します。

  1. 半導体デバイス製造におけるエッチング
    1. エッチングとは
    2. エッチング工程の種類
  2. デバイス動向とエッチングの先端課題
    1. ロジック/メモリーデバイスの動向
    2. エッチングの歴史と先端課題
  3. エッチングの基礎
    1. プラズマエッチング
    2. ウェットエッチング
  4. 従来エッチングの課題
    1. 面内分布
    2. エッチング損傷
  5. アトミック レイヤー エッチング (ALE) の基礎
    1. ALEの原理
    2. ALE手法の分類
  6. 有機金属錯体反応による等方性ALE
    1. La2O3
    2. Co
  7. プラズマアシスト熱サイクルによる等方性ALE
    1. Si3N4
    2. SiO2
    3. TiN
    4. W
  8. ハロゲン化とイオン照射による異方性ALE
    1. Si
  9. フルオロカーボンアシストによる異方性ALE
    1. Si3N4
  10. 今後の課題

受講料

複数名受講割引

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

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