ALD (原子層堆積) 技術による薄膜作製と低温プロセスの開発

第1部 ALD (原子層堆積) 技術による薄膜作製メカニズムとその応用事例

(2022年7月22日 10:30〜14:30 ※途中昼休みを含む)

　AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。 　本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD (原子層堆積) 技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。

1. 薄膜形成技術
   1. 薄膜作製/加工の基礎
   2. 薄膜の評価手法
      1. 電気的評価
      2. 化学的分析手法
      3. 光学的評価手法
2. ALD技術の基礎
   1. ALD技術の原理
   2. ALD薄膜の特長
   3. ALD技術の歴史
   4. ALD装置の仕組み
   5. ALD技術の材料
3. ALD技術の応用
   1. パワーデバイスへの応用
   2. 酸化物薄膜トランジスへの応用
   3. MOS LSIへの応用
   4. 太陽電池への応用
4. ALD技術の将来
   1. ALD技術の課題
   2. ALD技術の展望
• 質疑応答

第2部 高純度オゾンを用いた低温ALDプロセスとその応用技術

(2022年7月22日 14:45〜16:15)

　近年、ALD成膜の適用範囲は、半導体製造プロセスに限らず様々な製品への広がりが見られます。成膜対象物の耐熱性の制限からの低温化に加えて、凹凸形状を持った材質への被覆するニーズに加え、量産対応に向けた生産性やランニングコストの観点も必要とされてきます。 　ALDの酸化源として水や酸素プラズマやオゾンその他いくつかありますが、本セミナーでは高純度オゾンを用いた場合のALDについて紹介します。高純度オゾンはオゾン濃度が高いことに加え従来のオゾナイザーオゾンガスに比べて重金属不純物が少ない純度が高いガスです。また低温ではオゾン同士の反応衝突による酸素ガスへの分解反応がほとんどなく、寿命が長いので様々な炉サイズでも高純度オゾンを基板表面に供給が可能なことが高純度オゾンガスの特徴であり、他の酸化方法との違いについても述べる予定です。

1. 高純度オゾンの特徴
   1. 従来オゾンとの違い
   2. 高純度オゾンの生成方法
   3. ガスの取り扱い圧力範囲と装置安全性
2. ALDプロセス以外の高純度オゾン適用例
   1. 分子線エピタキシー
   2. 化学気相堆積
   3. 表面親水化 (オゾン-エチレンラジカル発生技術)
3. 高純度オゾンALD (PO-ALD) プロセス概要
   1. PO-ALD特徴 (他酸化源と比べた長所・短所)
   2. PO-ALDの装置構成 (従来オゾンALDまたは高温ALD装置構成との違い)
   3. PO-ALDで成膜するのに適した材質・形状
4. PO-ALD膜種別 成膜および膜質事例
   1. Al2O3膜
   2. TiO2膜
   3. SiO2膜
   4. その他
5. 適用アプリケーション先事例
6. まとめ
• 質疑応答