CMPプロセスは、半導体製造の多層配線工程に必要不可欠なキープロセスとして、これからも更なる需要の拡大が期待される。一方、今後SiCやGaNなどのこれからの半導体デバイスに、現行CMP技術がどこまで適用できるか不明な点も多い。
本セミナーでは、将来的なCMP技術開発において、CMP技術の歴史的な理解や、現状のCMP技術を含めてCMP技術全体を見直す。その上で、SiC基板をはじめとする次世代半導体全体が徐々に浸透していく中で、再度CMPに求められる要素技術を考察し、その対応すべき点を述べる。
また、CMP統合システムとして捉えた場合の装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、終点検出技術などの個々の技術の考え方を解説する。
最後に、次世代半導体デバイスを実装する上で、必要となるダイシング加工技術など、半導体加工技術全般について触れ、今後の要素技術のアプローチを述べる。
- CMP (Chemical Mechanical Planarization) 技術の概要、歴史
- 研磨技術の概要
- Siウェーハの加工プロセス
- ラッピング加工
- 研磨加工
- 化学機械研磨の研磨メカニズム
- 研磨制御における課題
- CMPの概要とCMPプロセス
- 半導体製造方法とCMPの概要
- CMPプロセスが適用されるプロセス
- CMPにおける重要な要素技術
- CMP要素技術 (1) 圧力分布の設計
- CMPに求められる仕様
- 研磨プロセスにおける圧力分布制御の考え方
- 圧力分布調整へのアプローチ
- 静的圧力分布と動的圧力分布の対応
- 圧力分布制御技術
- 研磨均一性と圧力分布形状の対応
- CMP要素技術 (2) 研磨パッド状態の定量化
- 研磨パッドの特徴
- 研磨パッドにおける幾何学的な要素
- 研磨パッドの定量的な状態把握
- 研磨パッドの化学的解析が必要な背景
- FTIRによるパッド表面の分析
- ラマン散乱分光によるパッド表面分析
- 緩和時間評価による高分子と水の関係
- CMP要素技術 (3) パッドコンディショニング技術
- パッドコンディショニング技術の概要
- In – situコンディショニング技術
- ダイヤモンド配列による長寿命化
- 表面基準コンディショニング
- 微小研削コンディショニング
- CMP要素技術 (4) 終点検出技術
- 終点検出の種類と概要
- 光学式終点検出技術
- 渦電流式終点検出
- 表皮効果を利用した渦電流終点検出技術
- 次世代半導体、電子部品に対する最新加工技術
- 三次元実装技術
- レーザダイシング技術
- ダイシングと平面研削加工の融合技術
- 次世代SiC基板における加工技術
- 新しいダイシング加工技術,溝入れ加工技術
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