本セミナーでは、パワーデバイスについて、素子構造、諸特性、限界特性、設計思想、製造プロセスの特異性など多角的な観点から解説いたします。
パワー半導体の将来を考える上での重要な課題は、シリコンデバイスからシリコンカーバイド (SiC) やガリウムナイトライド (GaN) に代表されるワイドバンドギャップ化合物半導体にいつになったら移行するかというところにある。 シリコンMOSFET、IGBTはスーパージャンクション型MOSFET、トレンチFS型IGBTの誕生で特性限界に近づきつつあり、いよいよSiCに代表されるワイドバンドギャップパワー半導体の登場も現実味を帯びてきた。 どんな素子がいつごろ本格的にマーケットに登場するのか?特長は?課題は?最近のSiCデバイスの発表データを見ると、オン抵抗に代表される低損失特性は目を見張るものの、特に車載向けデバイスとしての長期信頼性に関してはSiCデバイス特有の課題があり、未だ解決の余地があるようである。 またシリコンMOSFETやシリコンIGBTは今後どうなるのか、次世代MOSFET、IGBTの開発状況はどうなのかなど、シリコンパワーデバイスについても、その誕生から現在の最先端素子に至るまでの開発の歴史を振り返りながら、素子構造、諸特性、限界特性、設計思想、製造プロセスの特異性など、素子設計、製造プロセス、またアプリケーションの立場を通して多角的な観点から詳細に説明する。