本セミナーでは、MOSトランジスタを用いたLSIの作製で重要な役割を果たす不純物のイオン注入と、その不純物を活性化させるためのアニール技術について、MOS ICの微細化との関連を中心として解説いたします。
日時
- 2022年5月30日 13時00分〜 2022年5月30日 17時00分
開催予定
プログラム
MOSトランジスタを用いたLSIの作製で重要な役割を果たす不純物のイオン注入と、その不純物を活性化させるためのアニール技術について、MOS ICの微細化との関連を中心として解説してゆく。イオン注入技術ではその原理と装置の構造、および、MIS ICの微細化に対応するイオン注入技術の課題とその対策を示す。アニール技術では、MOS ICの微細化に対応するアニールの手法、イオン注入によって導入されるSi結晶欠陥のアニールによる回復の過程を解説する。MOS IC以外のデバイス作製のためのイオン注入技術についても簡単に紹介する。
- イオン注入技術の歴史
- CMOS ICの微細化
- MOSトランジスタの微細化とその構造変化に対応するイオン注入技術 - - イオン注入技術
- イオン注入の原理と装置構造
- CMOS ICでのイオン注入の適用
- イオン注入に伴う問題と対策
- イオンビーム精度
- チャネリング
- チャージアップ
- ビームBrow up
- 金属汚染
- 注入損傷
- その他のイオン注入技術
- CMOSイメージセンサー
- パワーデバイス など
- アニール技術
- アニール手法
- 電気炉アニール
- 光アニール
- 注入不純物の活性化過程
- 結晶の回復と2次欠陥の生成、展開
- 光アニール技術の課題
- アニール手法
- イオン注入に関連する解析技術
- 不純物濃度分布
- キャリアの濃度分布
- 結晶性解析
- 汚染解析
- 質疑応答
受講料
- 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。
「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 35,000円(税別) / 38,500円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 35,000円(税別) / 38,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
ライブ配信セミナーについて
- 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
- お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
- 開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
- セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
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- タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
- ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
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万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。