異種デバイス集積化プロセスの基礎と今後の半導体パッケージの開発動向

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本セミナーでは、半導体デバイス集積化の基幹技術であるマイクロバンプ、再配線、FOWLPの基礎プロセスについて概説し、三次元集積化、再配線の微細化、FOPLPへの拡張に伴う課題の論点を明確化し、今後の市場動向、技術動向を予測いたします。

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プログラム

世界最大手のファンダリーでは2nmノードの開発が本格化し、CMOSデバイスのスケーリングは1nmノードとそれ以降に向けた課題解決を展望しています。今後のAI性能の向上や5G以降の次世代通信の普及に向けて、高速センサネットワーク、大容量高速データストレージ、高機能エッジコンピューテイングなどの情報基盤を支える半導体デバイスはパッケージの機能拡張開発と一体化することが不可欠です。既に、大手プロセッサメーカーは機能別に分割された小チップやメモリを集積することにより所望のデバイス機能を発現させる ”chiplet”構造のパッケ-ジを新たな製品創出の中心に据えており、最先端の微細化プロセスだけでは得られない付加価値を創出しています。  半導体パッケージの役割が大きく変化し始めた最近の状況を踏まえ、本セミナーでは、半導体デバイス集積化の基幹技術であるマイクロバンプ、再配線、Fan-Outプロセスの基礎を再訪し、3D Fan-out、再配線の微細化、PLP (Panel Level Process) の課題について論点を整理します。従来のパッケージ技術の延命路線から離脱し、新しい価値創出のために様々な取り組みを実践されている参加者の皆様其々のご活躍される分野で今後の進むべき方向を議論する切っ掛けとなれば幸いです。

  1. はじめに
    1. 先端半導体デバイスの微細化とChiplet
    2. 中間領域プロセスの位置付けと価値創出事例
  2. 三次元集積化プロセス
    1. Logic-Memory Integration開発の推移 (2Dから3Dへ)
    2. TSV、Hybrid-Bonding、Chip-on Waferの基礎
    3. 再配線 (RDL) 微細化プロセスの課題
  3. Fan-Out型パッケージプロセスと三次元化
    1. FOWLPプロセスの基礎
      • Chip First
      • RDL First
      • InFO
    2. Through Mold Interconnect (TMI) による3D FO integration
  4. Panel Level Process (PLP) の進展
    1. Hybridスキーム
    2. Si Bridgeの新展開
  5. 今後の開発動向及び市場動向
    1. BEOL on waferとRDL on panelの漸近とプロセスギャップの現実
    2. AI, HPC system module対応のPLP開発
    3. 市場動向の概観
  6. おわりに

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