スパッタリング法は半導体からディスプレイデバイス、電子デバイスまで広く工業的に普及している技術である。薄膜形成方法の中でも、ソース材料 (ターゲット) が固体であり、有毒ガスを使用しないため、除害装置などを必要とせず、比較的簡便に取り扱うことができる。しかしながら、スパッタリングは、真空、プラズマ、電磁場、原子分子の衝突・拡散、化学反応など、いずれも目に見えない現象により成り立っているため、設備およびプロセスの設計や制御の根拠となるものを掴みにくく、経験や実験的アプローチに頼らざるを得ないという側面も持っている。
本講演では、スパッタリング技術の基礎となる真空とプラズマについて詳細に解説する。実際の工程で生じることが多い不具合の事例として、異常放電、密着力不足、残留応力等を取り上げ、その原因と対策について述べる。今後ますます重要になるであろうシミュレーション手法や、最近の技術動向などについても紹介する。
- はじめに 趣旨説明
- スパッタリングの基礎 (1) 真空
- 真空とは
- クリーン化技術
- スパッタリングの基礎 (2) プラズマ
- プラズマとは
- 低圧非平衡プラズマ
- 大気圧非平衡プラズマ
- 大気圧熱平衡プラズマ
- スパッタリングの種類と特徴
- 直流マグネトロンスパッタリング
- 高周波マグネトロンスパッタリング
- 反応性スパッタリング
- 対向ターゲット式スパッタリング
- ロータリーターゲット式スパッタリング
- パルススパッタリング (HiPIMS)
- スパッタリングの素過程
- スパッタリング
- 輸送過程
- 付着・拡散過程
- 薄膜の評価
- 結晶性評価
- 膜厚評価
- 光学的特性評価
- 応力評価
- 付着力評価
- スパッタリングに関するシミュレーション
- 磁場
- プラズマ
- 輸送過程
- 応用事例
- 光学薄膜
- 圧電薄膜
- その他応用事例
- スパッタリング工程における不具合の原因と対策例
- 膜厚均一性の向上
- 薄膜の剥離対策
- プラズマ放電の安定化
- その他の不具合の原因と対策
- 最新の技術動向
- まとめ
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 20,000円(税別) / 22,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 30,400円(税別) / 33,440円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 66,000円(税込)
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アカデミー割引
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