酸化ガリウム (Ga2O3) は大きなバンドギャップと低コストで形成できるという特徴から新しいパワーデバイス半導体として大きな注目を浴びている。そのGa2O3は5つの結晶多形が存在し、その結晶多形によって異なる特徴を持つことから、それぞれ異なるデバイスへの応用が検討されている。
本セミナーでは、酸化ガリウム (Ga2O3) の結晶多形の特徴や形成技術、またそれぞれの課題などについて説明する。形成技術については講演者が開発したミストCVD法を中心に、MBE法やMOCVD法などの手法でのそれぞれの結晶多形についての例を紹介する。また、パワーデバイス応用に重要な不純物添加技術や混晶化技術についても紹介する。
- 酸化ガリウムの基礎物性
- 酸化ガリウムの結晶多形
- 酸化ガリウムの結晶多形別の特徴
- 結晶多形による研究動向 (国内・海外)
- 酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
- 成長・薄膜形成方法
- 結晶多形の成長制御方法
- ミストCVD法
- ミストCVD法の歴史
- ミストCVD法の原理
- ミストCVD法のGa2O3以外への適用例
- α相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
- α-Ga2O3の結晶成長
- 成長法
- 課題と高品質化
- 混晶化技術
- デバイス動作 (結晶成長から見た)
- n型制御
- p型制御
- β相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
- β-Ga2O3の結晶成長
- 成長法
- n型制御
- 混晶化技術
- デバイス動作 (結晶成長から見た)
- κ相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
- κ-Ga2O3の結晶成長
- 成長法
- 強誘電体特性とHEMT
- 混晶化技術
- 高品質化
- γ相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
- γ-Ga2O3の結晶成長
- 混晶化技術
- 成長法
- 結晶多形の制御方法
- まとめと展望
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 20,000円(税別) / 22,000円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 30,400円(税別) / 33,440円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 66,000円(税込)
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- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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アカデミー割引
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
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- お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。
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- 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
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