徹底解説 パワーデバイス

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本セミナーでは、Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく詳細に解説いたします。

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プログラム

パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状開発試作品を除くとほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、製造プロセスが確立していない、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。  本セミナーでは、Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

  1. パワーエレクトロニクス/パワーデバイス産業
    1. パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
    2. パワーデバイスの用途と産業構造
  2. パワーデバイスの構造と高性能化
    1. パワーデバイスの構造と要求性能
    2. パワーデバイスの高性能化
  3. Siパワーデバイスの優位性と課題
    1. Siパワーデバイスの優位性
    2. Siパワーデバイスの課題
  4. SiCパワーデバイスの優位性と課題
    1. SiCパワーデバイスの優位性
    2. SiCパワーデバイスの課題
  5. GaNパワーデバイスの優位性と課題
    1. GaNパワーデバイスの優位性
    2. GaNパワーデバイスの課題
  6. Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
    1. Ga2O3パワーデバイスの優位性
    2. Ga2O3パワーデバイスの課題
  7. パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
    1. 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
    2. 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業

受講料

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アカデミー割引

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