GaNパワーデバイスの基礎と最新動向

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本セミナーでは、次世代パワーデバイスの有力候補にあげられるGaNデバイスの現状と可能性について解説いたします。

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近年僅々の課題となっている脱炭素社会を目指すに当たって、高効率な電力制御は開発すべき大きなテーマとなっています。そのためには現状を大幅に超える高効率パワーデバイスの開発が必須の課題となっています。GaNは有力な次世代パワーデバイス候補として認識され、開発が行われている。  本講演では、パワーエレクトロニクス、パワーデバイスの基礎から説き起こし、なぜGaNパワーデバイスを開発するのか説明する。そして、現在市場に出始めている横型GaNパワーデバイスの性能、そして、開発途上の縦型GaNパワーデバイスの開発状況を詳しく説明する。

  1. パワーエレクトロニクスとパワーデバイス
  2. パワーデバイスの基礎
  3. Siパワーデバイスの現状
  4. ワイドバンドギャップ半導体デバイス
    • 各種パワーデバイス材料の特徴
  5. GaNパワーデバイス
    1. GaNの物理的性質
    2. 横型GaNパワーデバイス
      • 特徴と課題
      • 電流子ラプス
      • ノーマリオフ
      • 実用化デバイスの性能
      • 応用例
    3. 縦型GaNパワーデバイス
      • 特徴と開発の歴史
      • 作製プロセスの課題と現状
      • ドリフト層エピタキシャル成長
      • ゲート絶縁膜
      • イオン注入
      • GaN基板
      • 開発例
      • 期待される応用
  6. まとめ

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