ALD (原子層堆積) / ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用

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本セミナーでは、ALD (原子層堆積) 技術、ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用について、堆積の原理や材料を中心に解説いたします。
また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介いたします。

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プログラム

AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。  本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD (原子層堆積) /ALE (原子層エッチング) 技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。

  1. 薄膜形成技術
    1. 薄膜作製/加工の基礎
    2. 薄膜の評価手法
      1. 電気的評価
      2. 化学的分析手法
      3. 光学的評価手法
  2. ALD/ALE技術の基礎
    1. ALD技術の原理
    2. ALD薄膜の特長
    3. ALD技術の歴史
    4. ALD装置の仕組み
    5. ALD技術の材料
    6. ALE技術の基礎
    7. ALE技術の課題
  3. ALD/ALE技術の応用
    1. パワーデバイスへの応用
    2. 酸化物薄膜トランジスへの応用
    3. MOS LSIへの応用
    4. 太陽電池への応用
  4. ALD/ALE技術の将来
    1. ALD/ALE技術の課題
    2. ALD/ALE技術の展望

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