リソグラフィ/EUVリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向と課題解決策および今後の展望

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本セミナーでは、極端紫外線リソグラフィー技術について、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等、基盤技術全般にわたって解説いたします。

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プログラム

極端紫外線リソグラフィー (EUVL) 技術は30年に開発期間を経て漸く7 nm nodeの半導体デバイスの量産に適用されました。しかしながら、5 nm nodeに向けて多くの課題を抱えています。  EUVL技術の黎明期の基礎技術開発を紹介するとともに、最新技術開発の現状、課題への取り組み、並びに今後の半導体微細加工技術の展開についても詳説します。

  1. はじめに
    1. IoTおよびAIに期待すること
    2. 半導体市場
    3. 半導体国際ロードマップから読み取れること
    4. 半導体微細加工技術の必要性
    5. 今後の半導体技術動向と市場との関係
    6. 今後の半導体技術に期待すること
  2. リソグラフィー技術
    1. リソグラフィー技術の変遷
    2. 黎明期のX線縮小露光技術からEUVリソグラフィー技術への展開
    3. EUVリソグラフィーとは?
      • EUV光源
      • 光学系
      • レジスト
      • マスク
      • 露光機
  3. 兵庫県立大学でのEUVリソグラフィー技術開発の取り組み
    1. 日本、米国のEUVLプロジェクトの変遷
    2. ニュースバル放射光施設の紹介
  4. EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み
    1. レジスト材料プロセス技術
    2. マスク欠陥技術
    3. ペリクル技術
    4. EUV用光源技術
  5. Beyond EUV (EUVリソグラフィーの短波長化) の可能性
  6. 日本の半導体技術の過去、現在、今後
    • 日本の半導体技術の覇権に重要な要素
  7. まとめ

受講料

複数名受講割引

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

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