CMPプロセスにおける装置・消耗材料・終点検出技術

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本セミナーでは、半導体製造工程に求められるCMPプロセスの要求仕様から、重要な要素技術、装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、終点検出技術などの個々の技術の考え方を解説いたします。

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プログラム

CMP プロセスは、半導体製造の前工程プロセスにおいて、今後とも必要不可欠なキープロセスとして更なる応用範囲の拡大が期待される。一方、今後SiCやGaNなどの半導体デバイスに対し、現行のCMP技術がどこまで適用できるか不明な点も多い。  本セミナーでは、将来的なCMP技術開発を継続的に行っていく中で、まずCMP技術について歴史的な理解を含めて技術全体を俯瞰する。その中で半導体製造工程に求められるCMPプロセスの要求仕様から、重要な要素技術に着目し、再度基本に立ち返ってCMPに求められる要素技術と現技術の妥当性を検証する。また、CMP統合システムとして捉えた場合の装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、終点検出技術などの個々の技術の考え方についても解説する。最後に、近年のSiC基板をはじめとした難削性半導体加工技術についても簡単に触れる。

  1. CMP 技術の概要、歴史
    1. 研磨技術の概要
    2. Siウェーハの加工プロセス
    3. ラッピング加工
    4. 研磨加工
    5. 化学機械研磨と研磨メカニズム
    6. 研磨制御における課題
  2. CMPの概要とCMPプロセス
    1. 半導体製造方法とCMPの概要
    2. CMPプロセスが適用されるプロセス
    3. CMPにおける重要な要素技術
  3. 研磨における圧力分布の設計
    1. CMPに求められる仕様
    2. 表面基準研磨
    3. 研磨プロセスにおける圧力分布制御の考え方
    4. ヘッド構造とパッド構造
    5. 圧力分布調整へのアプローチ
    6. 静的圧力分布と動的圧力分布の対応
    7. 圧力分布制御技術
    8. 研磨均一性と圧力分布形状の対応
  4. 研磨パッド状態の定量化
    1. 研磨パッドとスラリー
    2. 研磨パッドの特徴
    3. 研磨パッドにおける幾何学的な要素
    4. 研磨パッドの解析・分析方法と化学的な要素
    5. 高分子と水の関係からみた研磨パッドの状態把握
    6. ポリウレタンの化学的改質と研磨レート
  5. パッドコンディショニング技術
    1. パッドコンディショニング技術の概要
    2. In – situコンディショニング技術
    3. ダイヤモンド配列による長寿命化
    4. コンディショニングに求められる要素
    5. 表面基準コンディショニング
    6. 微小研削コンディショニング
  6. CMP終点検出技術
    1. 終点検出の種類
    2. 光学式終点検出技術
    3. 渦電流式終点検出
    4. 表皮効果を利用した渦電流終点検出技術
  7. 次世代半導体基板に対する最新加工技術
    1. 微細ダイシング技術

受講料

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