SiC-MOSFETの開発現状と製品化ならびにSi-IGBTの最新動向
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会場 開催
日時
2012年5月10日 10時30分
〜
2012年5月10日 16時30分
開催予定
プログラム
パワーデバイスの現状
～パワーデバイスの市場動向、市場要求
IGBTの進展
なぜIGBTがパワーデバイスの主役になったのか
IGBT開発の歴史
IGBT最新技術動向
次世代IGBTについて
RB-
IGBT
,RC-IGBTとは何か?
SJ-MOSFETの進展
SiCパワーデバイスの現状と課題
なぜSiCが注目されているのか
SiCの特徴は?
MOSFETがいいのかIGBTかがいいのか?
SiC-MOSFETの開発状況
最新学会発表論文、新聞記事紹介
SiCモジュールの課題
実用化を妨げる問題は何か?
GaNパワーデバイスの現状と課題
なぜGaNが注目されているのか
GaNパワーデバイスの開発
最新学会発表論文、新聞記事紹介
まとめ
会場
株式会社オーム社 オームセミナー室
101-8460
東京都
千代田区
神田錦町3-1
株式会社オーム社 オームセミナー室の地図
受講料
1名様: 43,000円(税別) / 47,300円(税込)
複数名: 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
割引特典について
複数名 同時受講:
1口 57,750円(税込) (3名まで受講可能)
早期申込割引:
2012年2月29日 17:00までのお申込は、
1名受講・1口受講とともに受講料から10%割引となります。