日時
- 2012年5月10日 10時30分〜 2012年5月10日 16時30分
開催予定
プログラム
- パワーデバイスの現状
～パワーデバイスの市場動向、市場要求 - IGBTの進展
- なぜIGBTがパワーデバイスの主役になったのか
- IGBT開発の歴史
- IGBT最新技術動向
- 次世代IGBTについて
- RB-IGBT,RC-IGBTとは何か?
- SJ-MOSFETの進展
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- なぜSiCが注目されているのか
- SiCの特徴は?
- MOSFETがいいのかIGBTかがいいのか?
- SiC-MOSFETの開発状況
- 最新学会発表論文、新聞記事紹介
- SiCモジュールの課題
- 実用化を妨げる問題は何か?
- なぜSiCが注目されているのか
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- なぜGaNが注目されているのか
- GaNパワーデバイスの開発
- 最新学会発表論文、新聞記事紹介
- まとめ
会場
受講料
- 1名様: 43,000円(税別) / 47,300円(税込)
- 複数名: 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
割引特典について
- 複数名 同時受講:
1口 57,750円(税込) (3名まで受講可能) - 早期申込割引:
2012年2月29日 17:00までのお申込は、
1名受講・1口受講とともに受講料から10%割引となります。