半導体配線材料・技術の最新動向

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本セミナーでは、Cu配線延命の為、導入されてきた最近の技術、技術開発が進行中のCu配線延命技術、及び、代替配線技術の現状と課題について解説いたします。
また、線幅の太い電源ラインをシリコン基板の表側や裏側に埋設するブレークスルーの開発が進行中であるが、これらのメリットと技術課題についても解説いたします。

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プログラム

Cu配線が導入されてから20年以上が経過したが、近年、Cuデュアルダマシン配線は更なる微細化には限界が来ているとの見方から、研究機関を中心にRuやCoなどの代替金属材料に置き換える技術開発が進行中である。しかしながら、実際の最先端のノードにおいても、Cu配線は延命の為の工夫を加えることで、使い続けられているのが現状である。  本セミナーでは、Cu配線延命の為、導入されてきた最近の技術、技術開発が進行中のCu配線延命技術、及び、代替配線技術の現状と課題について述べる。これらと同時に、線幅の太い電源ラインをシリコン基板の表側や裏側に埋設するブレークスルーの開発が進行中であるが、これらのメリットと技術課題についても解説する。

  1. Cuデュアルダマシン技術の微細化に伴う問題点
    1. Cuデュアルダマシン技術とは
    2. 微細化に伴う問題点
    3. 微細化が限界だとする悲観論の持つ定量的な曖昧さ
  2. 最近量産に導入されているCu配線延命を可能にしている新技術
    1. 改良型 ALD バリアメタル技術
    2. トレンチとビアの形状 (アスペクト比) の最適化
    3. RSB によるビア抵抗の低減
    4. Low-k (低誘電率絶縁膜) の PID 耐性向上
    5. シングルダマシンCu配線の導入
  3. Cu配線を更に延命させる為の開発中の技術
    1. レーザーアニールによるCu配線抵抗低減技術
    2. グラフェンキャップによるCu配線抵抗低減技術
    3. ハイブリッドCu配線技術による微細化促進
    4. 酸素を含まない低誘電率絶縁膜技術
    5. Mnによるアシストされた超薄型バリアメタル
    6. 揮発性材料を用いたエアーギャップ形成
  4. シリコン基板に電源線を埋め込む技術
    1. BPR
    2. BSPDN
  5. 代替配線技術
    1. Coデュアルダマシン技術
    2. Subtractive RIE Ru, Mo, W配線
    3. 金属間化合物配線
  6. まとめ

受講料

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アカデミー割引

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