近年では、特に、パワー/高周波デバイス用あるいはLED用としてサファイア、SiC、GaN, Diamondなどの難加工基板が脚光を浴びています。それに加えて、データセンター。基地局用にもLT, LN、GaAsなどの結晶基板の適用も要請されている。多種多様な基板を高能率・高品質に超精密加工するためには、熟成・定着してきたベアSiウェーハをはじめ、デバイスウェーハ平坦化CMP技術などを例にして、加工技術の基礎を徹底理解しておくことが必要不可欠です。
ここでは、長年培ってきたガラスを含めた機能性材料基板の超精密加工プロセス技術について徹底的に掘り下げた情報を盛り込みながら、あらゆる材料の超精密加工実現の門外不出のノウハウも含めながら、難加工材料のCMP技術や超精密加工プロセス技術などを詳細に解説します。さらに、究極デバイス用ダイヤモンド基板を含めた高効率加工プロセスなどについても言及し、新しい研究開発のビジネスチャンスをつかんでいただく橋渡しをさせていただきます。
- 基礎編;超精密加工技術の基礎編 (1)
- 研磨/CMPの発展経緯と加工メカニズム、各種基板の加工事例から基本技術を徹底理解 -
- 超精密研磨 (研削/ラッピング/ポリシング/CMP等) 技術の位置づけ/必要性と適用例
- 基本的加工促進のメカニズム概要の理解
- 各種機能性材料の超精密ポリシング
- コロイダルシリカ・ポリシング/CMPを含めて -
- ここで登場する被加工用基板
- HD・光ファイバ用ガラス
- Si
- サファイア
- GaAs
- LT
- 水晶
- GGG
- SiC
- 有機結晶など
- 基礎編;消耗資材・周辺加工技術の基礎編 (2)
- 加工メカニズムとパッド・スラリー、コンディショニング、リサイクル技術の事例 -
- 硬軟質二層構造パッド
- 高精度高品位化パッドの考案・試作 -
- ダイラタンシー現象応用スラリーとパッドの考案・試作
- レアアース対策としてのセリア代替の二酸化マンガン系砥粒
- ガラスの研磨事例 -
- スラリーのリサイクル技術
- ガラス/酸化膜CMP用セリアスラリーのリサイクル技術
- メタルCMP用スラリーのリサイクル技術
- 応用編;超精密加工技術の応用編
- 超LSIデバイスの多層配線加工用の平坦化 (プラナリゼーション) CMP技術を徹底理解 -
- デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
- 平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例
- パッド・スラリーそして装置 -
- パッドのドレッシング
- 非破壊ドレッシング/HPMJとハイブリッドin – situ HPMJ法の提案 -
- CMP用スラリーの設計とそのために必須のダイナミック電気化学 (d-EC) 装置の紹介
- Siウェーハのナノトポグラフィ問題、他
- ここで登場する被加工用基板
- Si
- SiO2
- Cu
- W
- Co
- Ta
- TaN
- TiNなど
- 将来加工編;将来加工技術
- 革新的高能率・高品質加工プロセス技術 (SiC・GaN/Diamond基板を対象として) -
- 将来型加工技術に向けて
- 加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
- パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
- 革新的加工技術へのブレークスルー (2つの考え方)
- 加工条件改良型ブレークスルー
- ダイラタンシーパッド
- 高速高圧加工装置の考案
- 加工プロセス・加工特性事例
- 挑戦型加工によるブレークスルー
- 将来型プラズマ融合CMP法の考案
- 加工特性事例
- ここで登場する加工用基板
- SiC
- HD用ガラス
- GaN
- ダイヤモンド
- サファイア
- Si
- SiO2など
- 総括編;今後の加工技術を捉える
- 深化するAIと“シンギュラリティ (技術的特異点) ”を見据えて -
- 重要三大加工技術のキーワード
- 超精密CMP融合技術
- 超薄片化プロセス技術
- 大口径超精密ボンディング技術
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