ドライエッチング技術の基礎と原子層エッチング (ALE) の最新技術動向

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本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

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プログラム

本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを詳しく紹介する。  関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積 (ALD) プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション (DX) の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

  1. 背景
  2. プラズマ科学の基礎
  3. 代表的なプラズマプロセス装置
  4. 反応性イオンエッチング (RIE) の基礎
    1. プラズマ表面相互作用
    2. 表面帯電効果
    3. シリコン系材料エッチング反応機構
    4. 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
    5. 高アスペクト比 (HAR) エッチング概要
  5. プラズマCVD概要:原子層堆積 (ALD) の基礎として
  6. ALDプロセスの概要:原子層エッチング (ALE) の逆過程として
    1. 熱ALD
    2. プラズマ支援 (PA-) ALD
  7. ALEプロセスの概要と最新技術動向
    1. PA – ALE
    2. 熱ALE:リガンド交換
    3. 熱ALE:金属錯体形成
  8. 半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション (DX)
    1. プロセス数値シミュレーションと TCAD
    2. 仮想計測 (VM) とプロセス装置制御
    3. マテリアルズ・インフォマティクス
    4. プロセス開発における機械学習 (ML) ・AIの活用
  9. まとめ

受講料

複数名受講割引

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

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