CMP徹底解説

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本セミナーでは、半導体製造工程に求められるCMPプロセスの要求仕様から、重要な要素技術、装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、終点検出技術などの個々の技術の考え方を解説いたします。

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プログラム

CMPプロセスが半導体製造の前工程プロセスに導入されて、すでに四半世紀以上が経過し必要不可欠なキープロセスとして、これからも更なる応用範囲の拡大が期待される。一方、今後SiCやGaNなどのこれからの半導体デバイスに対して現行のCMP技術がどこまで適用できるか不明な点も多い。  本セミナーでは、将来的なCMP技術開発を行っていく中で、まず現状のCMP技術についてラッピング加工を含む研磨技術の全体を俯瞰し、歴史的な理解を含めて技術全体の概要を見直す。その中で半導体製造工程に求められるCMPプロセスの要求仕様から、それを達成するための重要な要素技術を示し、CMP統合システムとして捉えた場合の装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、終点検出技術などの個々の技術の考え方を解説する。最後に、近年の3D実装技術に求められるその他の半導体加工技術についても簡単に触れる。

  1. CMP (Chemical Mechanical Planarization) 技術の概要、歴史
    1. 研磨技術の概要
    2. Siウェーハの加工プロセス
    3. ラッピング加工
    4. 研磨加工
    5. 化学機械研磨と研磨メカニズム
    6. 研磨制御における課題
    7. EEM (Elastic Emission Machining) における加工制御
  2. CMPの概要とCMPプロセス
    1. 半導体製造方法とCMPの概要
    2. CMPプロセスが適用されるプロセス
    3. CMPにおける重要な要素技術
  3. CMP要素技術 (1) 圧力分布の設計
    1. CMPに求められる仕様
    2. 表面基準研磨
    3. 研磨プロセスにおける圧力分布制御の考え方
    4. 圧力分布調整へのアプローチ
      1. ヘッド構造
      2. パッド構造
    5. 静的圧力分布と動的圧力分布の対応
    6. 圧力分布制御技術
    7. 研磨均一性と圧力分布形状の対応
  4. CMP要素技術 (2) 研磨パッド状態の定量化とコンディショニング技術
    1. 研磨パッドとスラリー
    2. 研磨パッドの特徴
    3. 研磨パッドにおける幾何学的な要素
    4. 研磨パッドの定量的な状態把握
    5. 研磨パッドの化学的な要素
    6. パッドコンディショニング技術の概要
    7. ダイヤモンド配列による長寿命化
    8. コンディショニングに求められる要素
    9. ファイバーコンディショナにおける表面基準コンディショニング
  5. CMP要素技術 (3) APCと終点検出技術
    1. APC (Advanced Process Control) の考え方
    2. 研磨レート制御とプロセスモニター
    3. 終点検出の種類
    4. 光学式終点検出技術
    5. 渦電流式終点検出
    6. 表皮効果を利用した渦電流終点検出技術
  6. 今後の3次元実装における半導体加工技術

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