2020年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。
しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
- パワーエレクトロニクス (パワエレ) とはなに?
- パワエレ&パワーデバイスの仕事
- パワー半導体の種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
- シリコンMOSFET・IGBTの伸長
- パワーデバイス開発のポイント
- 最新シリコンパワーデバイス (Si-IGBT) の進展と課題
- パワーデバイス市場の現在と将来
- IGBT開発のポイント
- IGBT特性改善を支える技術
- 薄ウェハ化の限界
- IGBT特性改善の次の一手
- 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに?
- シリコンIGBTの実装技術
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- 半導体デバイス材料の変遷
- ワイドバンドギャップ半導体とは?
- なぜSiCパワーデバイスなのか
- 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
- SiCウェハができるまで
- SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
- SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
- SiC-MOSFET最近のトピックス
- SiCのデバイスプロセス (Siパワーデバイスと何が違うのか)
- SiCデバイス信頼性向上のポイント
- SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
- ショットキーバリアダイオード (SBD) 内蔵SiC-MOSFET
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- なぜGaNパワーデバイスなのか?
- GaNデバイスの構造
- SiCとGaNデバイスの狙う市場
- GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
- ノーマリーオフ・ノーマリーオン特性とはなに?
- GaN-HEMTのノーマリーオフ化
- GaN-HEMTの課題
- GaNパワーデバイスの弱点はなにか
- 縦型GaNデバイスの最新動向
- 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに?
- SiCパワーデバイス高温対応実装技術
- 高温動作ができると何がいいのか
- SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
- パワーモジュール動作中の素子破壊例
- SiCモジュールに必要な実装技術
- まとめ
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,700円(税別) / 46,970円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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- 他の割引は併用できません。
アカデミー割引
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