第1講 パワーデバイスの開発動向と高温実装技術の必要性
(2021年05月19日 10:00〜12:00)
近年、世界各国で自動車の電動化開発が大きく進展している。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはPHEVやEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化している。自動車の電動化性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えず、シリコンIGBTが依然主役として活躍している。
本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiCパワーデバイスの最新技術、さらに最新の実装技術についても解説し、高温実装技術のご利益について説明する。
- パワーエレクトロニクスとは?
- パワエレ&パワーデバイスの仕事
- パワー半導体の種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
- 高温動作のメリットは?
- 最新シリコンIGBTの進展と課題
- IGBT開発のポイント
- IGBT特性改善を支える技術
- IGBT特性向上への挑戦
- 最新のIGBT技術
- 逆導通IGBT (RC-IGBT)
- 高温化パッケージ技術
- 大口径ウェハ (300mmΦ) 適用
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- 半導体デバイス材料の変遷
- ワイドバンドギャップ半導体とは?
- SiCのSiに対する利点
- SiC-MOSFET特性改善、信頼性向上のポイント
- SiC-MOSFET最新技術
- 高温対応実装技術
- 高温動作ができると何がいいのか
- SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
- ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
- まとめ
第2講 次世代パワー半導体高温動作用接合技術
(2021年05月19日 13:00〜15:00)
パワー半導体の接合がなぜ必要で、どうような要件があり、現状ではどのような技術があるかを説明します。また、さまざまな実装材料がある中で、接合材料のみの特性をどのように評価したら良いか、特に信頼性の評価方法についてお話しします。
- EV/HV技術
- 次世代パワー半導体
- パワー半導体高温動作用接合技術
- 接合技術に求められる要件
- 接合技術の概況
- 接合技術のトピックス
- Cuナノ粒子接合
- 高融点はんだ接合
- 合金接合
- 接合技術の特性評価
- 試料構造
- 初期特性
- 信頼性
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- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
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- お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
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印刷物は後日お手元に届くことになります。
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