次世代パワーモジュールの開発動向と高温接合技術

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プログラム

第1講 パワーデバイスの開発動向と高温実装技術の必要性

(2021年05月19日 10:00〜12:00)

 近年、世界各国で自動車の電動化開発が大きく進展している。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはPHEVやEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化している。自動車の電動化性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えず、シリコンIGBTが依然主役として活躍している。  本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiCパワーデバイスの最新技術、さらに最新の実装技術についても解説し、高温実装技術のご利益について説明する。

  1. パワーエレクトロニクスとは?
    1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
    5. 高温動作のメリットは?
  2. 最新シリコンIGBTの進展と課題
    1. IGBT開発のポイント
    2. IGBT特性改善を支える技術
    3. IGBT特性向上への挑戦
    4. 最新のIGBT技術
      • 逆導通IGBT (RC-IGBT)
      • 高温化パッケージ技術
      • 大口径ウェハ (300mmΦ) 適用
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. SiCのSiに対する利点
    4. SiC-MOSFET特性改善、信頼性向上のポイント
    5. SiC-MOSFET最新技術
  4. 高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
    3. ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
  5. まとめ

第2講 次世代パワー半導体高温動作用接合技術

(2021年05月19日 13:00〜15:00)

 パワー半導体の接合がなぜ必要で、どうような要件があり、現状ではどのような技術があるかを説明します。また、さまざまな実装材料がある中で、接合材料のみの特性をどのように評価したら良いか、特に信頼性の評価方法についてお話しします。

  1. EV/HV技術
  2. 次世代パワー半導体
  3. パワー半導体高温動作用接合技術
    1. 接合技術に求められる要件
    2. 接合技術の概況
    3. 接合技術のトピックス
      1. Cuナノ粒子接合
      2. 高融点はんだ接合
      3. 合金接合
  4. 接合技術の特性評価
    1. 試料構造
    2. 初期特性
    3. 信頼性

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