テラヘルツ波デバイスに求められる新材料と要素技術 最先端の研究開発状況と課題・展望

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本セミナーでは、テラヘルツ波について取り上げ、テラヘルツ波が主流になる未来に必要な材料・技術、既存デバイスの課題からテラヘルツ波利用のブレークスルーとなる技術・研究開発の現状・展望といった最先端の情報を提供いたします。

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プログラム

商用サービスが開始された高速無線通信:5Gに続く技術開発ロードマップには、2030年に次世代6G、2040年に次々世代7Gがそれぞれ位置づけられており、いよいよテラヘルツ周波数帯がメインストリームとなる時代が到来する。  従来のトランジスタを中心とする電子デバイスも、レーザーダイオードを中心とするフォトニックデバイスも本質的な物理限界を来すこのテラヘルツ領域で、小型・集積化可能かつ低消費電力な光源・信号処理デバイスを実現するための新材料・新原理を中心とする最先端研究開発状況について、要素技術をわかりやすく紹介するとともに、現状・課題・今後の展望について述べる。

  1. 序章
    1. 社会を取り巻く動向・技術的背景
    2. 超スマート社会実現へ向けた動向
  2. 半導体光電子物性の基礎
    1. 半導体物性の基礎 (電気的特性)
    2. 半導体物性の基礎 (光学的特性)
    3. 半導体物性の基礎 (プラズモンとは)
  3. グラフェンの物性とグラフェンプラズモンの物理
    1. グラフェンの製法と評価法の基礎
    2. グラフェンの光電子物性の基礎
    3. グラフェンのプラズモン物性の基礎
  4. グラフェンプラズモンによるテラヘルツレーザー・増幅素子の創出
    1. グラフェンのテラヘルツ帯利得媒質としての機能性
    2. グラフェンを利得媒質とするテラヘルツレーザー
    3. グラフェンプラズモンの巨大利得増強作用 (動作原理の感覚的な理解のために)
    4. グラフェン量子カスケードレーザーの提案 (動作原理の感覚的な理解のために)
  5. 今後の展望
    1. グラフェンテラヘルツ機能デバイスとしての到達点とベンチマーク
    2. グラフェンテラヘルツ機能デバイス実現の課題
    3. 今後の展望

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