本セミナーでは、新世代のAIチップなどでも期待される三次元積層型の立体集積回路 (3D-IC) の特徴とその必要性や分類、作製方法について分かりやすく解説します。特に鍵となる要素技術、1) シリコン貫通配線 (TSV: Through-Silicon Via) 形成技術、2) チップ/ウエハ薄化技術、3) アセンブリや接合技術 (微小はんだバンプ接合やCu-Cu直接接合) 等を中心に、要求される材料や製品応用例、信頼性解析技術なども添えて詳解します。また、性能重視の3D-ICに対し、価格競争力があり、モバイル機器を中心に普及する先端半導体パッケージであるファンアウト型のウエハレベルパッケージング (FOWLP) の概要や課題、国内外の最近の取り組みについても詳説します
- 先端半導体パッケージの背景:
- 三次元積層型集積回路 (3D-IC) とFan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) の比較
- 3D-ICの概要と歴史
- 3D-ICの分類
- 積層対象による分類 (Wafer-on-Wafer vs. Chip-on-Wafer)
- 積層形態による分類 (Face-to-Face & Back-to-Face)
- TSV形成工程による分類
- Via-MiddleによるTSV形成工程
- Via-LastによるTSV形成工程
- 接合方式による分類
- TSV形成技術
- 高異方性ドライエッチング (Bosch etch vs. Non-Bosch etch)
- 信頼性評価1: スキャロップの影響
- TSVライナー絶縁膜堆積
- 信頼性評価2: Keep Out Zoneの低減
- バリア/シード層形成
- 信頼性評価3: C-t法によるCu汚染解析
- ボトムアップ電解めっき
- 信頼性評価4: Cuポップアップの影響
- その他のTSV形成技術と信頼性評価
- TSVの微細化について
- チップ/ウエハ薄化技術
- チップ/ウエハ薄化技術
- 信頼性評価5: ゲッタリング層の効果
- テンポラリー接着技術
- テンポラリー接着技術
- 信頼性評価6: ウエハエッジ保護
- アセンブリ・接合技術
- 微小はんだバンプ接合技術とアンダーフィル
- SiO2-SiO2直接接合
- Cu-Cuハイブリッドボンディング
- 無機異方導電性フィルム (iACF) を用いた接合技術
- 液体の表面張力を用いた自己組織化チップ実装技術 (セルフアセンブリ)
- 応用例1: 三次元イメージセンサ
- 応用例2: 三次元DRAM (HBM: High-Bandwidth Memory)
- 応用例3: 2.5Dシリコンインターポーザ
- Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) 技術
- FOWLPの概要と歴史
- FOWLPの分類と特徴
- FOWLPの課題
- ダイシフト (Die shift)
- チップ突き出し (Chip protrusion)
- ウエハ反り (Warpage)
- FOWLP の研究開発動向
- チップレットとフレキシブルFOWLP
- おわりに
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