ウェットエッチングは工業的にも歴史が古く、かつ、高周波プリント基板や LSI および液晶デバイスなどの様々な先端分野で主力の加工技術となっています。また、ウェットエッチングは、量産性やコスト性および設備の簡易さに優れており、かつ、エッチングと同時にウェット洗浄も行えるという特長を有しています。しかし、ウェットエッチングには、濡れ性制御、反応性コントロール、界面密着制御、マスク耐性などの様々な要因が関わっており、高精度化のためには、それぞれを最適化することが必要です。近年では、ウェットエッチングによるアンダーカット形状の高精度化が求められています。
本セミナーでは、ウェットエッチングの基礎メカニズムに重点を置きながら、エッチングの高精度化、トラブル対策についても解説します。日頃の技術開発やトラブル相談にも個別に応じます。
- ウェットエッチングの基礎
- 加工技術としての位置づけ
- 基本プロセスフロー
- プロセス支配要因
- 等方性エッチング
- 結晶異方性エッチング
- 表面エネルギー理論による界面浸透解析
- 処理装置
- 液循環
- ディップ
- シャワー
- スピンエッチ
- フィルタリング
- アンダーカット形状コントロール
- プロセスの基礎と最適化要因
- 被加工表面の最適化 (表面被膜、汚染、欠陥の影響)
- エッチング液
- エッチング液の選定
- エッチングレート
- エッチング液の劣化
- エッチングマスク
- マスク剤の選定
- マスク剤の最適化
- マスクの形状劣化
- マスク内の応力分布と付着強度
- エッチング液の浸透
- トラブル要因と解決方法 (最短の解決のために)
- マスクパターンの剥離
- エッチング液の濡れ不良
- エッチング開始点の遅れ
- ホールパターンの気泡詰まり
- エッチング表面の荒れ
- 金属汚染
- 液中酸化
- 再付着防止
- 乾燥痕
- 質疑応答
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