パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。
本セミナーでは、Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。
- パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
- パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
- パワーデバイスの用途と産業構造
- パワーデバイスの構造と高性能化
- パワーデバイスの構造と要求性能
- Siパワーデバイスの高性能化
- ワイドギャップ半導体の優位性
- Siパワーデバイスの優位性と課題
- Siパワーデバイスの優位性
- Siウエハの300mm化
- 微量不純物の制御
- SiCパワーデバイスの優位性と課題
- SiCパワーデバイスの優位性
- SiC結晶およびパワーチップ製造の課題
- パワーモジュールの高温化
- GaNパワーデバイスの優位性と課題
- GaNパワーデバイスの優位性
- 横型GaNパワーデバイスの課題
- 縦型GaNパワーデバイスの課題
- Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
- α-Ga2O3パワーデバイスの優位性
- β-Ga2O3パワーデバイスの優位性
- Ga2O3パワーデバイスの課題
- パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
- 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
- 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業
複数名受講割引
- 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 30,400円(税別) / 33,440円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
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アカデミー割引
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
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ライブ配信セミナーについて
- 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
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