EUVリソグラフィ最新概論 EUVL 用材料・技術の進化と半導体製造の動向および展望

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5GやAI対応で益々の高速・大容量・低電力・軽量・小型可が求められる半導体にEUVLが活用され始めております。
iPhone12を筆頭にEUVLを用いた製品も市場に続々と登場しており、本セミナーでは、EUVLの基礎と、EUVL導入の効果について解説いたします。

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プログラム

Covid-19と米中貿易摩擦の煽りを受け、世の中全体に不景気感が広がっているが、iPhone 12の登場は本格的な5G世代の幕開けを宣言するに十分な効果をもたらした。とくに、AI対応での高速・大容量・低電力に加え、軽量・小型の実現には極端紫外線露光技術の寄与が大きい。ようやく、半導体素子の量産に使われ始めた本技術について詳述する。

  1. 半導体製造の現状
    1. 微細化の効果
    2. EUVLの概要と導入の効果
    3. EUVL導入例
    4. 微細化の将来
  2. 極端紫外線露光の概要と歴史
  3. 個別技術の進展
    1. 光源開発
      1. 要求性能
      2. LPP光源の現状と課題
    2. 多層膜技術
      1. 多層膜の概要と設計法
      2. 多層膜の成膜技術
      3. 多層膜の評価
    3. 反射光学系
      1. 反射光学系の要求条件
      2. 反射光学系の設計法
      3. ミラーの加工法と評価
      4. ミラー光学系の合わせ法
    4. 反射型マスク技術
      1. 反射型マスクの要求条件
      2. マスクの構造と製作法
      3. マスク検査技術
    5. EUVレジスト
      1. EUVレジストの要求条件
      2. レジストの現状
    6. ペリクル技術
  4. 次期システム・高NA機の開発概要
  5. 今後の課題

受講料

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アカデミー割引

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