最新プラズマエッチング技術

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会場 開催

本セミナーでは、ドライエッチングの基礎から最新技術まで網羅的に解説いたします。
情報が得にくい装置やダメージについても詳解いたします。

日時

開催予定

プログラム

  1. エッチングの基本的概念
    • イオン
    • ラジカル
    • 堆積性化合物の生成
    • 電子温度・密度
    • 中性分子の密度
    • 気相反応
    • 表面反応
    • 形状制御
    • 選択比
  2. エッチングガスの物性
    • ハロゲン化合物の一般的物性 (特に融点、沸点について)
    • ハロゲン化合物の電子物性とプラズマ中における解離
  3. ケミカルドライエッチング
    • SiO2のケミカルドライエッチング
    • Siのケミカルドライエッチング
  4. RIEについて
    • 並行平板型エッチング装置の種類と特徴
    • ICP型エッチング装置の種類と特徴
    • イオンエネルギー分布と酸化膜エッチング
    • SiとF原子の反応と反応速度定数
    • 選択比と形状制御
  5. 添加ガスの役割
    • O2添加効果
    • N2添加効果
    • 希ガスの添加効果
  6. エッチングダメージについて
    • イオンダメージ
    • チャージングダメージ
    • レジストの荒れ
  7. MEMSのエッチングと課題
    • Si高速エッチングの課題
    • 酸化膜高速エッチングの課題
    • 不揮発性物質のエッチング
  8. 新しいエッチングガスの創製
    • 官能基の配置とイオン、ラジカルの発生との相関
  9. まとめ

会場

江東区役所 商工情報センター (カメリアプラザ)
136-0071 東京都 江東区 亀戸2-19-1
江東区役所 商工情報センター (カメリアプラザ)の地図

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