本セミナーでは、ドライエッチングの基礎から最新技術まで網羅的に解説いたします。
情報が得にくい装置やダメージについても詳解いたします。
日時
- 2012年3月19日 11時00分〜 2012年3月19日 16時30分
開催予定
プログラム
- エッチングの基本的概念
- イオン
- ラジカル
- 堆積性化合物の生成
- 電子温度・密度
- 中性分子の密度
- 気相反応
- 表面反応
- 形状制御
- 選択比
- エッチングガスの物性
- ハロゲン化合物の一般的物性 (特に融点、沸点について)
- ハロゲン化合物の電子物性とプラズマ中における解離
- ケミカルドライエッチング
- SiO2のケミカルドライエッチング
- Siのケミカルドライエッチング
- RIEについて
- 並行平板型エッチング装置の種類と特徴
- ICP型エッチング装置の種類と特徴
- イオンエネルギー分布と酸化膜エッチング
- SiとF原子の反応と反応速度定数
- 選択比と形状制御
- 添加ガスの役割
- O2添加効果
- N2添加効果
- 希ガスの添加効果
- エッチングダメージについて
- イオンダメージ
- チャージングダメージ
- レジストの荒れ
- MEMSのエッチングと課題
- Si高速エッチングの課題
- 酸化膜高速エッチングの課題
- 不揮発性物質のエッチング
- 新しいエッチングガスの創製
- 官能基の配置とイオン、ラジカルの発生との相関
- まとめ
- 質疑応答・名刺交換・個別相談
会場
受講料
- 1名様: 47,600円(税別) / 52,360円(税込)
割引特典について
- R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
- 1名でお申込みいただいた場合、1名につき47,250円 (税込)
- 2名同時にお申し込みいただいた場合、2人目は無料 (2名で49,980円)
- 案内登録をされない方は、1名につき49,980円 (税込)