CVDリアクタのノンプラズマクリーニング技術
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会場 開催
本セミナーでは、CVDプロセスの基礎から解説し、リアクタクリーニングの技術・プロセスについて整理する貴重なセミナーです。
日時
2011年12月13日 13時00分
〜
2011年12月13日 16時30分
開催予定
プログラム
成膜とクリーニング
CVDプロセスの概要 (理想的CVDリアクタの条件)
CVDプロセス・装置の課題 (リアクタクリーニングに求められる条件)
リアクタ内堆積物 (サセプタ、反応容器) と発生する問題
排ガス管内堆積物 (油状、粉末状) と事故の例 (含、リアクタ内の反応設計)
CVDリアクタクリーニング法
ノンプラズマクリーニングに用いられるガスの性質
基本物性
反応性
取扱
シリコンCVD装置クリーニング (1) (HCl)
化学反応とエッチング速度の挙動、反応速度定数
エッチング中の表面形態
シリコンCVD装置クリーニング (2) (ClF3)
化学反応とエッチング速度の挙動、反応速度定数
エッチング中の表面形態
炭化珪素堆積膜除去技術 (ClF3)
化学反応とエッチング速度、反応速度定数
エッチング中の表面形態
酸化ハフニウム堆積膜除去技術 (HCl)
化学反応、粉末と薄膜のエッチング速度
その他の反応性ガス
まとめ
質疑応答・名刺交換
会場
品川区立総合区民会館 きゅりあん
140-0011
東京都
品川区
東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図
受講料
1名様: 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
複数名: 33,000円(税別) / 36,300円(税込)
複数名同時受講の割引特典について
2名で参加の場合、1名につき 7,350円割引
3名で参加の場合、1名につき 10,500円割引 (同一法人に限ります)