本セミナーでは、CVDプロセスの基礎から解説し、リアクタクリーニングの技術・プロセスについて整理する貴重なセミナーです。
日時
- 2011年12月13日 13時00分〜 2011年12月13日 16時30分
開催予定
プログラム
- 成膜とクリーニング
- CVDプロセスの概要 (理想的CVDリアクタの条件)
- CVDプロセス・装置の課題 (リアクタクリーニングに求められる条件)
- リアクタ内堆積物 (サセプタ、反応容器) と発生する問題
- 排ガス管内堆積物 (油状、粉末状) と事故の例 (含、リアクタ内の反応設計)
- CVDリアクタクリーニング法
- ノンプラズマクリーニングに用いられるガスの性質
- 基本物性
- 反応性
- 取扱
- シリコンCVD装置クリーニング (1) (HCl)
- 化学反応とエッチング速度の挙動、反応速度定数
- エッチング中の表面形態
- シリコンCVD装置クリーニング (2) (ClF3)
- 化学反応とエッチング速度の挙動、反応速度定数
- エッチング中の表面形態
- 炭化珪素堆積膜除去技術 (ClF3)
- 化学反応とエッチング速度、反応速度定数
- エッチング中の表面形態
- 酸化ハフニウム堆積膜除去技術 (HCl)
- 化学反応、粉末と薄膜のエッチング速度
- その他の反応性ガス
- まとめ
- 質疑応答・名刺交換
会場
受講料
- 1名様: 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
- 複数名: 33,000円(税別) / 36,300円(税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名で参加の場合、1名につき 7,350円割引
- 3名で参加の場合、1名につき 10,500円割引 (同一法人に限ります)