本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。
このセミナーは、2020年3月16日収録セミナーの映像配信です。講師と直接質疑応答いただけます。
日時
- 2020年7月16日 10時30分〜 2020年7月16日 16時30分
開催予定
プログラム
近年は、電気自動車 (EV) の開発に向け大きく進展する年となっている。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化してきている。 EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。 最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、市場予測を含め丁寧に解説する。
- パワーエレクトロニクスとは?
- パワエレ&パワーデバイスの仕事
- パワー半導体の種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- 高周波化のメリット
- Si-MOSFET・IGBTの伸長
- パワーデバイス開発のポイント
- 最新シリコンパワーデバイス (Si-IGBT) の進展と課題
- パワーデバイス市場の今と将来
- IGBT開発のポイント
- IGBT特性改善を支える技術
- 薄ウェハ化の限界
- IGBT特性改善の次の一手
- 新しいコンセプトのIGBT (RC-IGBT) 開発
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- 半導体デバイス材料の変遷
- ワイドバンドギャップ半導体とは?
- SiCのSiに対する利点
- なぜ各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発するのか?
- SiC/GaNパワーデバイスの市場予測
- SiCウェハができるまで
- SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
- 最近のSiC-MOSFETトピックス
- SiCのデバイスプロセス (Siパワーデバイスと何が違うのか)
- SiCデバイス信頼性向上のポイント
- SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
- SBD内蔵SiCトレンチMOSFET
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- なぜGaNパワーデバイスなのか?
- GaNデバイスの構造
- SiCとGaNデバイスの狙う市場
- GaN-HEMTデバイスの特徴
- ノーマリ-オフ特性
- GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
- GaN-HEMTの課題
- GaNパワーデバイスの弱点はなにか
- 縦型GaNデバイスの最新動向
- 縦型SiC.vs.縦型GaNの行くえ
- 高温対応実装技術
- 高温動作ができると何がいいのか
- SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
- パワーデバイスの動作パターン
- パワーデバイス動作中の素子破壊例
- 信頼性設計とシミュレーションの活用
- まとめ
- 質疑応答
受講料
- 1名様: 30,400円(税別) / 33,440円(税込)
オンデマンドセミナーの留意点
- 録画セミナーの動画をお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
- お申し込み前に、 視聴環境 をご確認いただき、 視聴テスト にて動作確認をお願いいたします。
- 3営業日後までに、メールをお送りいたします。
- 視聴期間は申込日より14日間です。
ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。 - セミナー資料は、印刷・送付いたしますので、視聴開始後に届きます。
- セミナー資料は、申込み日から3営業日以内に発送いたします。
- このセミナーに関する質問に限り、後日に講師とZoomなどを活用して個別Q&Aをすることができます (15分程度) 。
- 具体的には、セミナー資料に講師のメールアドレスを掲載していますので、
セミナーに関する質問がございましたら先ずは講師に直接メールでアポイントメント後、
ZoomなどTV会議システムでQ&Aをしてください。 - 継続的なメールでのQ&Aではなく、短時間ミーティングによるQ&Aを講師が希望しています。
- 動画視聴・インターネット環境をご確認ください
- セキュリティの設定や、動作環境によってはご視聴いただけない場合がございます。
- サンプル動画が閲覧できるかを事前にご確認いただいたうえで、お申し込みください。
- 本セミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。