AIの進展と5G通信の本格普及に向けて、データを生成元の近くでリアルタイム処理するエッジコンピューティングの高性能化、多機能化に自在に応えるためには、電子部品を含む異種デバイス集積化によりモジュール機能を創出するプラットフォームの役割を半導体パッケージが担うことが期待されています。機能別に小チップに分割した複数の異種チップとメモリをSiインタポーザやSiPに集積する”Chiplet”構造を採用した最新のプロセッサ製品は、ム-ア則を補完するデバイス性能向上とチップサイズ縮小による経済性の両立へ拡張する半導体パッケージ開発の恩恵を享受しており、また、既存のパッケージ基板、PCB、LCDの業態階層を崩すパネルレベルパッケージプロセスの開発は、新たなエコシステムを構築しつつあります。
本セミナーでは、半導体デバイス集積化の基幹技術であるマイクロバンプ、再配線、TSV、FOWLP、三次元デバイス積層のプロセスの基礎をおさらいし、再配線の微細化、FOWLP/PLPの三次元化の課題を整理し、異種デバイスの三次元集積化を見据えた今後の市場動向と技術動向を展望します。
- 半導体パッケージの役割の変化
- 中間領域プロセスの位置付け
- 後工程の前工程化
- 中間領域プロセスによる製品の価値創出事例
- チップレットSiP
- 三次元集積化デバイス形成プロセス技術と最新動向
- 広帯域メモリチップとロジックチップの積層化
- Logic-on-DRAM SoCデバイス
- InFO POP
- 2.5Dインテグレーション
- 再配線、マイクロバンプ、TSVの形成プロセスの基礎と留意点
- 再配線形成プロセスの微細化
- マイクロバンプ形成プロセスとバンプピッチ縮小化
- TSV形成プロセス選択
- 三次元積層化プロセスの基礎とその留意点
- 微少量半田接合部の熱的安定性
- TSV積層プロセスの課題
- 再配線の絶縁被覆樹脂膜材料と配線信頼性について
- 配線信頼性の基礎
- 再配線の絶縁樹脂膜界面におけるCu酸化
- LSIダマシン配線と再配線の構造比較
- FOWLP プロセス技術と最新動向
- FOWLPの市場浸透
- FOWLPプロセスの基礎と留意点
- 再構成基板形成・支持基板剥離
- 材料物性指標
- プロセスインテグレーション
- 不良事例・信頼性評価事例
- Fan-Out WLPのコスト構造解析事例
- 三次元FOWLPの TMI プロセス
- Tall Cu pillar
- Vertical wire bonding
- Laser via drilling
- Photosensitive thick dielectric polymer
- FOPLP の課題
- 量産化へ向けて克服すべき課題
- 装置開発事例
- 今後の半導体パッケージの市場動向・開発動向・課題
- 最近の注目開発事例
- Hybrid Panel FOによるメモリ多段積層
- CoWによる異種デバイス集積化
- 最近の市場概観とトピックス紹介
- 今後の商流と事業主体の変化
- まとめ
複数名同時受講の割引特典について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 20,000円(税別) / 22,000円(税込) で受講いただけます。
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