本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。近年、世界各国で自動車電動化開発が大きく進展している。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEV, PHV (プラグインハイブリッド車) シフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEVやPHV開発がいよいよ本格化し始めた。EV, PHVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料パワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
本セミナーでは、SiC/GaNパワーデバイスの今後の開発の方向性は何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。
- パワーエレクトロニクスとは?
- パワエレ&パワーデバイスの仕事
- パワーデバイスの種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- 高周波動作のメリットは
- パワーデバイス開発のポイントは何か
- 最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
- MOSFET・IGBT開発のポイント
- 特性向上への挑戦
- MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
- 最新のMOSFET・IGBT技術:まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
- 新構造IGBT:逆導通IGBT (RC-IGBT) の開発
- SiC パワーデバイスの現状と課題
- ワイドバンドギャップ半導体とは?
- SiCのSiに対する利点
- SiC-MOSFETプロセス
- SiCデバイス普及拡大のポイント
- SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
- 最新SiC-MOSFET技術
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
- GaN-HEMTの特徴と課題
- GaN-HEMTのノーマリーオフ化
- GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
- 縦型GaNデバイスの最新動向
- 高温対応実装技術
- 高温動作ができると何がいいのか
- SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
- ますます重要度を増す
案内割引・複数名同時申込割引について
シーエムシーリサーチからの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、2名以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、1名様あたり半額の 21,500円(税別) / 23,650円(税込)となります。
- Eメール案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 43,000円(税別) / 47,300円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 43,000円(税別) / 47,300円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 64,500円(税別) / 70,950円(税込)
- Eメール案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 48,000円(税別) / 52,800円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 96,000円(税別) / 105,600円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 144,000円(税別) / 158,400円(税込)
アカデミック割引
- 1名様あたり 24,000円(税別) / 26,400円(税込)
学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。