本セミナーでは、極端紫外線リソグラフィー技術について、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等、基盤技術全般にわたって解説いたします。
極端紫外線リソグラフィー (EUVL) 技術は30年に開発期間を経て漸く7 nm nodeの半導体デバイスの量産に適用されました。しかしながら、5 nm nodeに向けて多くの課題を抱えています。EUVL技術の黎明期の基礎技術開発を紹介するとともに、最新技術開発の現状、課題への取り組み、並びに今後の半導体微細加工技術の展開についても詳説します。
学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。