本セミナーでは、極端紫外線リソグラフィー技術について、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等、基盤技術全般にわたって解説いたします。
日時
- 2020年1月30日 10時30分〜 2020年1月30日 16時30分
開催予定
プログラム
極端紫外線リソグラフィー (EUVL) 技術は30年に開発期間を経て漸く7 nm nodeの半導体デバイスの量産に適用されました。しかしながら、5 nm nodeに向けて多くの課題を抱えています。EUVL技術の黎明期の基礎技術開発を紹介するとともに、最新技術開発の現状、課題への取り組み、並びに今後の半導体微細加工技術の展開についても詳説します。
- はじめに
- IoTおよびAIに期待すること
- 半導体市場
- 半導体国際ロードマップから読み取れること
- 半導体微細加工技術の必要性
- 今後の半導体技術動向と市場との関係
- 今後の半導体技術に期待すること
- リソグラフィー技術
- リソグラフィー技術の変遷
- 黎明期のX線縮小露光技術からEUVリソグラフィー技術への展開
- EUVリソグラフィーとは?
- EUV光源
- 光学系
- レジスト
- マスク
- 露光機
- 兵庫県立大学でのEUVリソグラフィー技術開発の取り組み
- 日本、米国のEUVLプロジェクトの変遷
- ニュースバル放射光施設の紹介
- EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み
- レジスト材料プロセス技術
- マスク欠陥技術
- ペリクル技術
- EUV用光源技術
- Beyond EUV (EUVリソグラフィーの短波長化) の可能性
- 日本の半導体技術の過去、現在、今後
～日本の半導体技術の覇権に重要な要素～ - まとめ
- 質疑応答・名刺交換
会場
受講料
- 1名様: 42,750円(税別) / 47,025円(税込)
- 複数名: 22,500円(税別) / 24,750円(税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,750円(税別) / 47,020円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。 - 他の割引は併用できません。
アカデミック割引
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。