Atomic Layer Deposition (ALD、原子層堆積法) による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition (CVD、気相薄膜形成法) と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
- 第1部 薄膜作製の基礎
- 薄膜作製入門
- 薄膜の種類と用途
- 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
- ウェットプロセスとドライプロセス
- PVDとCVD、ALD
- 真空の基礎知識
- 真空度とは
- 平均自由行程とクヌッセン数
- 真空の質と真空ポンプ、真空計
- PVDプロセス
- 真空蒸着の基礎
- スパッタリング
- 第2部 ALD/CVDプロセスの反応機構と速度論
- ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
- CVDプロセスの素過程
- CVDプロセスの速度論
- 製膜速度の温度依存性 – 表面反応律速と拡散律速
- 製膜速度の濃度依存性 – 1次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
- CVDプロセスの均一性
- 表面・気相の反応機構解析入門
- 素反応機構と総括反応機構
- 気相反応の第一原理計算と精度
- 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析
- 第3部 ALDプロセスの基礎と展開
- ALDプロセスの基礎
- ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
- ALDプロセスの理想と現実
- ALDプロセスの温度依存性
- ALDプロセスの均一性
- ALDプロセスの量産性
- ALDプロセスの応用と展開
- ALDプロセスの応用用途
- ALDプロセスの解析手法と最適化
- Quartz Crystal Microbalance (QCM) によるその場観察と最適化
- 製膜遅れ時間 (Incubation Time) の観測と最適化
- 新しいALD技術
- プラズマALD、プラズマALE、ホットワイヤーALD
- Spatial ALD
- ALD国際会議について
複数名同時受講の割引特典について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 47,500円(税別) / 52,250円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
- 他の割引は併用できません。
アカデミック割引
- 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。