フォトポリマーの設計と高感度化

第1部 光酸発生剤・光カチオン開始剤および光塩基発生剤の特長と使い方

(2020年2月6日 10:00〜12:00)

　光酸発生剤・光カチオン開始剤および光塩基発生剤に関して、本稿では一般的な物性の他、使い方や機能面での優位性、取扱い上の留意点などについて、弊社製品での事例を踏まえて解説いたします。

1. フォトポリマーとは
2. 光酸発生剤・カチオン開始剤
   1. オニウム塩全般について
   2. それぞれの特色と応用例
3. 光塩基発生剤
   1. 光塩基発生剤とアニオン硬化
   2. イオン型PBGによるUVアニオン硬化
   3. 応用事例
   4. 非イオン型PBG
• 質疑応答

第2部 フォトポリマーの材料設計、プロセスの留意点

(2020年2月6日 12:50〜14:50)

　LSIや実装の製造で用いられる感光性材料について、用いられている光化学反応の種類は意外と少ないことを述べる。次いで感光性材料が用いられる意義など、開発している人が陥りやすい勘違いや注意点について疑問形式で考える。 　感光性材料を用いる際の塗布、露光、現像などのプロセスに沿ってそれら課題について考察しながら、感光性材料開発のポイントを述べる。

1. はじめに
2. 感光性材料の種類
3. 感光性材料開発での留意点
   1. 光を用いる理由
   2. 露光装置と光吸収
   3. 光吸収と光化学反応、Lambert – Beer則
   4. 感光性材料内での反応 (固体内反応)
   5. 現像プロセスの重要性
   6. 感度測定留意点
   7. 解像性を決める要因
• 質疑応答

第3部 リソグラフィ技術の展望とレジスト材料への要求特性、課題

(2020年2月6日 15:00〜17:00)

　メモリー、マイクロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードも近づいています。 　本講演では、これらの半導体の微細化を支えるリソグラフィ技術の展望、および、レジスト材料への要求特性、課題について、基礎から最新の動向を解説します。

1. リソグラフィ技術の展望
   1. 露光
   2. 照明方法
   3. マスク
   4. レジストプロセス
   5. ロードマップ
2. レジスト材料への要求特性、課題
   1. 溶解阻害型レジスト
      1. g線レジスト
      2. i線レジスト
   2. 化学増幅型レジスト
      1. KrFレジスト
      2. ArFレジスト
      3. ArF液浸レジスト
   3. EUVレジスト
• 質疑応答