半導体のプラズマエッチング工程におけるSiおよびAlのエッチングレートの疎密差、寸法シフト、アンダーカット、およびSiO2エッチングにおけるボーイングおよびレジストの劣化現象について、エッチングメカニズムを含め概説する。
さらに、エッチング寸法モデルをベースにした、プロセス制御によるCD安定化 (APC) について概説する。
- 背景
- 半導体のトレンド
- エッチングの多様化、多層化
- エッチング装置の概略
- SiおよびAlのエッチング
- 反応生成物付着を考慮したイオンアシストエッチング
- 付着および反応の温度依存性
- SiおよびAlのマイクロローディング解析
- CDシフト (加工寸法) のメカニズム
- 温度制御によるSiおよびAlの加工CD均一化
- SiO2エッチング
- ナローギャップエッチング装置と選択性
- HARC加工におけるボーイング制御技術
- ArFレジスト劣化の抑制
- ゲートCDのプロセス制御技術
- CDシフトのメカニズム解析をベースにした加工CDのモデル化
- モデルベースのプロセス制御によるCDの安定化
- モデルの可搬性の検証
- 実デバイス部 (SRAM) 部のCDモデル