本セミナーでは、原子層制御プロセスの基礎から解説し、原料供給・パージ・反応性ガス供給など多くの制御パラメータの最適化や、ALDプロセスを活用した最新の応用事例を詳解いたします。
原子層成長 (ALD) プロセスは、半導体集積回路用薄膜の作製などに実用化され、その応用範囲が拡大している。また、近年は1原子層ずつ表面をエッチングするALEにも関心が高まっている。これらを組み合わせた選択成長技術は、プロセス工数の削減などに有益であると期待されている。一方、ALDは類似の薄膜作製プロセスであるCVD (Chemical Vapor Deposition) と比べると、ガス濃度や反応温度の他に、ガス供給切替シーケンスの最適化など、制御パラメータが多く、どのようにプロセスを最適化するかが難しくなっている。 本講座では、ALDとALEを併せて原子層制御プロセス (ALP) と総称し、その原理から最適化に至るまでのプロセスサイエンスの概論を述べるとともに、最新の技術動向なども紹介する。