メモリー、マイクロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードも近づいている。本講演では、これらの半導体の微細化を支えるリソグラフィの基礎、および、レジスト材料の基礎、要求特性、課題と対策、最新の動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめる。
- リソグラフィの基礎
- 露光
- コンタクト露光
- ステップ&リピート露光
- スキャン露光
- 照明方法
- 斜入射 (輪帯) 照明
- マスク
- 位相シフトマスク
- 光近接効果補正 (OPC)
- マスクエラーファクター (MEF)
- レジストプロセス
- 反射防止プロセス
- ハードマスクプロセス
- 化学機械研磨 (CMP) 技術
- ロードマップ
- レジスト材料の基礎
- 溶解阻害型レジスト
- g線レジスト
- i線レジスト
- 化学増幅型レジスト
- KrFレジスト
- ArFレジスト
- 化学増幅型レジストの安定化技術
- レジスト材料の展開
- 液浸リソグラフィ
- ダブル/マルチパターニング
- リソーエッチ (LE) プロセス
- セルフアラインド (SA) プロセス
- EUVリソグラフィ
- 分子レジスト
- ネガレジスト
- ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
- 無機/メタルレジスト
- 自己組織化 (DSA) リソグラフィ
- グラフォエピタキシー
- ケミカルエピタキシー
- 高χ (カイ) ブロックコポリマー
- ナノインプリントリソグラフィ
- 加圧方式
- 光硬化式
- レジスト材料の技術展望、市場動向