本セミナーでは、エッチングの原理、装置、メカニズム、トラブル対策まで、経験豊富な講師が解説いたします。
(2019年9月10日 10:00〜14:00)※途中、昼食休憩含む
プラズマエッチングは、フィン型電界効果トランジスタなどの先端半導体デバイスを製造する上で、必要不可欠な技術である。モノのインターネット (IoT) の普及により、データ処理を担う半導体デバイスの更なる性能向上が求められており、デバイス構造の微細化と三次元化が進んでいる。これに伴ってプラズマエッチングには、原子層レベルの制御性が求められている。次世代の三次元デバイスでは、深さ方向の高制御加工に加え、横方向の高制御加工も必要となる。本講演では、プラズマエッチング技術について、エッチングの原理から、技術動向、装置、プロセス制御、そして最先端の原子層エッチング開発事例までを、メーカで各種デバイスのエッチングプロセス開発に携わってきた講師が、実経験を交えて分かり易く解説する。
(2019年9月10日 14:15〜17:00)
企業などでプラズマエッチングに関する研究開発を始めた方、プロセス設計に従事されている方、デバイス信頼性評価に従事されている方などを対象とし、プラズマの基礎から、最先端プラズマプロセスにおける大きな課題「プラズマ誘起ダメージの発生機構」とその抑制についてお話します。大学で理系科目を習得していれば特に問題なく理解できると思います。また、講師の企業、大学での勤務経験をもとに、エンジニアとして何が大切か?どうすればいいのか?を伝えたいと思います。