フレキシブルマイクロLEDの可能性

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会場 開催

本セミナーでは、次世代のマイクロLEDの研究開発、材料・技術について詳解いたします。

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プログラム

マイクロLEDは有機ELのディスプレーを置き換える次世代表示素子技術として大きな注目を集めている。マイクロLEDディスプレーを実用化するためには、安価な大面積基板上にGaN – LED アレイを作製する技術を開発する必要があるが、本セミナーではスパッタリングによる窒化ガリウム成長技術を用いた大面積フレキシブルマイクロLED作製の可能性について、この分野に関する専門知識のない技術者にもわかるように平易に解説する。

  1. 開発の背景
    1. 表示素子の技術的流れ
    2. マイクロLEDの重要性
    3. マイクロLED製造の技術的問題点
    4. スパッタGaN成長技術の利点
  2. スパッタ法によるGaNの成長技術
    1. スパッタGaN薄膜の構造的特徴
    2. スパッタGaN薄膜の電気的特徴
    3. スパッタGaN薄膜の光学的特徴
  3. スパッタ法を用いて試作したGaN素子の特性
    1. スパッタGaNLED素子の特性
    2. スパッタGaNHEMT素子の特性
    3. スパッタGaNMISFET素子の特性
    4. スパッタGaNパワー素子の特性
    5. スパッタGaN受光素子の特性
  4. スパッタ法を用いて低価格基板上に試作したGaN素子の特性
    1. GaN成長用低価格基板
    2. 金属フォイル上に作製したGaNLED素子
    3. ガラス基板上に作製したGaNLED素子
    4. ポリマーフィルム上に作製したGaN素子

会場

ちよだプラットフォームスクウェア
101-0054 東京都 千代田区 神田錦町3-21
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