本セミナーでは、次世代情報端末の進化を支えるシリコン薄膜や酸化物半導体などの新材料の電子物性、薄膜トランジスタの動作原理、真空作製技術からプリンティング技術、最新の話題までを詳解いたします。
日時
- 2011年9月13日 10時30分〜 2011年9月13日 16時30分
開催予定
プログラム
iPodやスマートフォンの出現など、ディスプレイの進化は止まることがありません。 ここでは、次世代情報端末の進化を支えるシリコン薄膜や酸化物半導体などの新材料について、詳しく解説します。 材料の電子物性、薄膜トランジスタの動作原理、真空作製技術からプリンティング技術、最新の話題まで幅広く紹介します。 さらに、量産化技術にかかわった経験を通して、素子の高性能化、高信頼性化技術についても議論します。
- 透明酸化物薄膜の基礎物性
- 薄膜材料の歴史
- 酸化物材料の電気伝導
- 薄膜トランジスタの動作原理
- デバイス構造
- 酸化物TFTの性能評価技術
- 薄膜トランジスタの製造プロセス
- 薄膜形成技術
- 製造プロセス
- 高性能化技術
- 界面制御技術
- レーザ照射法
- 信頼性評価技術
- 劣化メカニズム
- 電気的劣化
- 発熱劣化
- 光劣化
- 評価手法
- 高信頼性化技術
- 劣化メカニズム
- 酸化物半導体の将来展望
- 酸化物TFTの今後
- 新規応用技術
- 質疑応答・名刺交換・個別相談
会場
受講料
- 1名様: 47,600円(税別) / 52,360円(税込)
割引特典について
- R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
- 1名でお申込みいただいた場合、1名につき47,250円 (税込)
- 2名同時にお申し込みいただいた場合、2人目は無料 (2名で49,980円)
- 案内登録をされない方は、1名につき49,980円 (税込)