SiC、GaNを超える『究極の半導体材料』として挙げられるダイヤモンド。
ダイヤモンド半導体にはダイヤモンド半導体にしかない稀有な半導体特性も持っています。
本セミナーでは、ダイヤモンドエレクトロニクスについて、世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを開発した講師がその魅力・最新動向について解説いたします。
ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。また、近年ではダイヤモンド中の窒素 – 空孔 (NV) 中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの応用が期待されています。 本講演では、半導体材料としてのダイヤモンドの魅力、そしてダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、ダイオード、トランジスタ、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発状況、課題および展望について、我々の研究成果 (例:世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等) を中心に解説します。