半導体デバイス製造における各プロセス技術の基礎、俯瞰と最近の動向の把握

半導体デバイスの製造方法を基礎から解説します。ウエハ上にトランジスタや配線を形成する前工程と、個片化してパッケージに組み立てる後工程それぞれについて、個別のプロセスの内容とその意味合い、デバイスの進化に伴う技術の変化まで俯瞰します。最新のデバイス動向から、今求められるプロセス技術とそれに用いられる材料、デバイスの信頼性への影響などについても解説します。

1. 半導体デバイスの基礎と最新動向
   1. AIとIoT
   2. トランジスタの基礎
   3. 3次元トランジスタ
   4. メモリの基礎と3DNAND
   5. 前工程と後工程
2. 前工程
   1. 形作りの基本
   2. 半導体の基本モジュール
      1. STI
      2. トランジスタ
      3. 配線
   3. 個別プロセスの詳細
      1. 酸化
      2. 成膜
      3. リソグラフィー
      4. エッチング
      5. CMP
      6. 洗浄
3. 後工程
   1. パッケージの種類と構造
      1. リードフレームを用いるパッケージ
      2. パッケージ基板を用いるパッケージ
      3. ウエハレベルパッケージ
      4. SIP
   2. 個別プロセスの詳細
      1. 裏面研削
      2. ダイシング
      3. ダイボンディング
      4. ワイヤボンディング
      5. モールディング
      6. バンプ形成
   3. 最新パッケージ技術
      1. FOWLP
      2. CoWoS
      3. 部品内蔵基板
• 質疑応答