5G時代に要求される半導体・パッケージ・高周波対策材料技術

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5G時代に向けて、通信デバイスの高速化対応が注目されている。通信速度の高速化には、高周波対策 (電磁波・誘電特性・ノイズ) および高速伝送対策 (伝送距離) が鍵となる。高速伝送対策を担うデバイス=半導体はCSP化が進み、伝送距離の短縮は接続回路 (例;子基板、再配線) の薄層化に移っている。  今回、高速通信への対応として、通信デバイスの高周波対策および高速伝送対策に関する技術動向を解説する。特に、接続回路の薄層化技術について、開発状況および課題を詳しく説明する。

  1. 高速通信の要点
    1. 回線
    2. プロトコル
    3. 課題;高速化対策
  2. 通信デバイスの高周波対策
    1. 電磁波」
    2. 遮蔽 (EMS)
    3. 吸収 (EMA)
    4. EMS/EMA材料: 理論, 製法,製品, 他
    5. 誘電特性
    6. 誘電率/誘電正接 (ε/tanδ)
    7. 誘電対策; 低誘電物質, 加工方法
    8. ノイズ除去
    9. 理論 (SAW/BAWフィルター)
    10. SAWフィルター用シート材料
  3. 通信デバイスの高速化対策
    1. 受送信部;小型化 (IC化,高密度実装)
    2. 情報処理部;伝送距離短縮 (FO – PKG+接続回路薄層化)
  4. 情報処理部のパッケージング技術動向と課題
    1. 開発対象
    2. 薄層PKG ; FOWLP/FOPLP,課題 (再配線, ビルドアップ)
    3. 薄層接続回路; 再配線・コアレア子基板、課題
    4. 薄層封止 ; 封止方法、封止材料

会場

ちよだプラットフォームスクウェア
101-0054 東京都 千代田区 神田錦町3-21
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