半導体メモリの技術・市場動向と今後求められるであろう製造・材料技術

半導体市場はビッグデータとAI、の急速な進歩により現在急激に変化しつつあります。本セミナーでは半導体に関連した市場の構成を説明し、次に技術の変化について説明します。従来の技術ロードマップ (ITRS→IRDS) にあった微細化は限界をむかえ、EUVを使った新規な微細化と3次元化が並行して進んでいます。この進化の概略を説明したのち半導体の製造装置について説明します。 　新規に開発されているSi以外のメモリ (RRAM、PRAM、MRAM、FRAM) は製法も異なるため製造装置を理解する事により材料、装置などの関連性がわかりやすくなります。次に今最も新しい量産メモリーである3D-NANDについて工程を詳しく説明します。200層にも及ぶ成膜、超深穴のエッチングなど工程を具体的に示して説明します。これにより半導体の製造に関わる問題点と将来の課題が浮き彫りになってきます。最後に微細化の極限であるEUVについて簡単に触れることで半導体関連の将来像が完成します。 　半導体デバイスや装置、材料を個々に説明する資料はありますが、全体を関連付けて見通す機会は余りありません。本セミナーではすべてを関連付けて説明することにより、業界の全貌を理解する事が出来ます。

1. 半導体産業の構造
   1. 半導体に関連した産業の全体構造と関連性
   2. 半導体市場
   3. 半導体製造装置市場
   4. 関連材料市場
   5. 検査機市場
2. 半導体の進化の歴史と今後の方向
   1. ITRSからIRDS (デバイスの世界基準ロードマップ)
   2. 微細化の方向 (EUV)
   3. 3次元化の方向 (3D-NAND)
   4. Si以外の物質の取入れ (新メモリ)
   5. 上記各デバイスの使われ方の変化 (PCの構成を例に説明)
3. 半導体製造の前工程の概略と課題
   1. 製造工程の流れ
   2. 成膜装置
   3. 露光装置
   4. エッチング装置
   5. 洗浄装置
   6. CMP工程
4. メモリの種類と構造、特徴
   1. DRAM
   2. SRAM
   3. NAND (3D)
   4. FRAM (強誘電体メモリ)
   5. RRAM (抵抗変化メモリ)
   6. PRAM (相変化メモリ)
      →X-ポイントメモリ
   7. MRAM (磁気抵抗変化メモリ)
5. 急速に進化した3D-NANDの構造と作製工程
   1. NANDメモリの構造と原理
   2. 3D-NAND作製工程
   3. 気が遠くなる96層成膜
   4. 芸術的なエッチング
   5. 常識を覆したトランジスターの形成
   6. 信じられない電極成膜技術
   7. ダメ押しであきれるエッチング
   8. 3Dはどこまでできるのか?
6. AIチップ実用化
   1. AIの問題
   2. EUV関連技術の急激な必要性
7. 今後の半導体による我々の環境変化
8. 半導体製造に求められる技術と関連業界の協力体制
9. 質疑応答